Лента новостей

07:56
Шляхта лижет сапоги холопов?
07:49
Латвия готовится воевать с Россией любимым оружием афганских душманов
23:43
Доска почета «Миротворец»
21:55
Исламизация Бельгии: все, толерантность накрылась «медным тазом»
21:52
«Громыковская школа»: западные СМИ опасаются нового посла России в США
21:49
Возможна ли в США гражданская война?
21:47
Последняя битва Америки: геи против генерала Ли
21:47
Желающих посетить США россиян станет гораздо меньше
21:45
Королёвская «семёрка»: как СССР создал первую в мире межконтинентальную баллистическую ракету
21:44
Тем временем: Ляшко призвал расстрелять Саакашвили при пересечении границы Украины
21:43
«Джон Маккейн» столкнулся с танкером
21:40
США пытается заставить Путина «кормить» Украину
21:38
Страшные буквы: что ужаснуло патриотов Латвии в визите российского министра
21:37
На Украине старый советский танк выдают за шедевр оборонки
21:36
Наступает время агонии террористов в Сирии
21:35
«Русская лихорадка» охватила элиту Меркель
21:04
Новый российский экраноплан появится «в железе» после 2020 года
21:03
Сочинение школьницы об отличии русской и европейской цивилизации взбудоражило умы
21:02
«Коварный изменщик» Трамп: США приостановили выдачу виз россиянам
21:00
«Независимость от российского газа» обходится Прибалтике очень дорого
20:59
Почему эсминцы ВМС США идут на таран
20:58
Чем Россия ответит на поставки в Европу американского СПГ
20:55
Реальный преемник Владимира Путина появился на горизонте
20:54
США впервые оказали Украине реальную помощь на фронте
16:17
VG: Русская подлодка запустила суперракету
16:11
Киев грозит уничтожить Донбасс под аплодисменты Запада
16:07
Project Syndicate: Путешествие по стране Путина
13:17
Дно украинской журналистики и его обитатели
13:16
Le Figaro: встреча Путина с посланником Ватикана — «не пустяк»
13:15
«Моя твоя не понимай»: Турция заговорит по-русски
13:14
Веселый Роджер над Украиной. Кто бросил вызов СБУ?
13:06
Военным предложили смартфон на колесах
13:05
«Армату» оснастят мобильными электростанциями
13:04
АРМИЯ ВКС России уничтожили колонну боевиков ИГ на пути в Дейр-эз-Зор
13:00
Киевская стратегия по Донбассу: сделаем жизнь невыносимой – «Русский мир» уедет сам
12:59
Общественная палата открыла горячую линию для жалоб на поборы в школах
12:57
Английская диктатура толерантности стала прикрытием для педофилов
12:54
Американские фонды готовят кровавую баню для рубля
12:53
США нанесли удар по российскому госдолгу
12:50
С-500 «Прометей» и «Антей-4000» впервые покажут широкой публике
12:49
Медленно «Калибры» улетают вдаль…
12:48
«Мы в состоянии создать атомный ударный авианосец»
12:47
Главная ошибка России
12:46
Новый миропорядок: против России нет шансов
12:45
«Кадыров берет власть над всей Россией»
Все новости

Архив публикаций

«    Август 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031 
» » Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Структура ячейки RRAM памяти

Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая Джеймсом Туром (James Tour), занимаются проблемой RRAM-памяти с 2010 года. В качестве основного диэлектрического материала исследователи используют диоксид кремния (SiO2), и недавно им удалось совершить прорыв, разработав технологию формирования в слое диоксида кремния множества нанопор, токопроводящих нитей, которые выступают в роли отдельных ячеек RRAM-памяти из которых можно сформировать высокоплотный массив памяти.

"Наша технология является одной из немногих технологий, полностью удовлетворяющих каждому из требований широкомасштабного производства энергонезависимой памяти следующего поколения" - рассказывает Джеймс Тур, - "Процесс производства протекает при комнатной температуре, ячейки памяти имеют весьма низкое напряжение переключения и высокое соотношение значений сопротивления в различных состояниях. Ячейки не требуют расхода энергии при хранении информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку, обладают высокой надежностью и обеспечивают высокую скорость записи и чтения информации".

Массив ячеек памяти


Ключевым моментом разработанной исследователями технологии является процесс изготовления тонкой пластины из пористого диоксида кремния, но не просто пористого, а имеющего упорядоченную структуру из этих пор. Имея в распоряжении такой материал, остается только нанести на его поверхность сетку из электродов, что делается достаточно просто, и такой подход позволяет избежать того, что так не любят делать все производители чипов - создавать вокруг границ массива ячеек памяти сложные схемы электронного управления.

На всем вышеперечисленном преимущества использования нанопористого диоксида кремния не заканчиваются. Ячейки памяти на основе нанопор выдерживают в 100 раз большее количество циклов записи-стирания, нежели ячейки памяти предыдущего варианта. Кроме этого, в каждой ячейке может храниться до девяти бит информации, что является самым большим показателем по отношению к другим типам памяти, включая и RRAM-память.

В настоящее время исследовательская группа работает над совершенствованием разработанной ими технологии в направлении ее ориентации на условия массового производства. Тем временем ведутся мероприятии по патентованию и разрабатывается план лицензирования технологии для компаний, занимающихся выпуском микросхем памяти, некоторые из которых уже проявили интерес к новому типу RRAM-памяти, разработанному исследователями из университета Райс.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх