Лента новостей

12:24
Австрийский «пинок под зад» турецкому нахалу
12:20
Эта служба и опасна, и трудна
11:56
Правда глаза режет, или почему Макрон боится российских журналистов
11:55
Трамп отменил запрет на добычу нефти и газа на шельфе США
11:53
Мощнейший авиаудар ВКС РФ уничтожил базу, заполненную террористами
11:51
Куда пропал Мартин Борман?
11:10
Российские ученые научились бороться с заражением крови
11:02
Георгиевский кавалер Герой Советского Союза казак Недорубов
10:08
В украинском танке взорвался кондиционер
10:07
Порошенко тайком звонит Путину и шутит с ним по телефону
10:05
«Русские Витязи» меняют имидж
10:04
Посетительнице латвийского ТЦ не дали на русском позвать пропавших детей
09:53
Турецкий гамбит: Зачем Эрдоган бросает пушечное мясо на штурм в Сирии
09:51
Главное, чтоб Путин не напал...
09:50
Президент в Кремле вручил золотые звезды Героя Труда РФ
09:49
«План Маршалла» для Украины: надежды и суровая реальность
09:48
Порошенко ждёт возвращения в «европейскую колыбель»
09:47
«Когда Трамп требует денег, у многих это вызывает раздражение»
09:45
Год банкротства Украины
09:44
Кнопка для идиота
09:43
России всё менее интересны проблемы стран Евросоюза
09:43
Милитаризация умов в Литве закончилась провалом
09:00
Российские С-400 добавят Турции уверенности в своих силах
08:59
Они сражались за Родину: в России осталось 1,8 млн. ветеранов и инвалидов ВОВ
08:59
НАТО создаёт в Восточной Европе новую военную реальность
08:58
Курды требуют от США установить бесполётную зону в Сирии
08:57
Авианосец США Carl Vinson вошел в акваторию Японского моря
00:58
Этот день в истории - 29 Апреля
19:28
Южная Корея отказалась платить Трампу за размещение THAAD
19:27
Куда течёт «Висла», или Как Польша избавилась от бандеровщины
19:27
В России вступают в силу новые правила выплат по ОСАГО
19:26
Украино-польская «дружба» продолжается всё сильней
19:25
Стоимость Rail Baltica растет, но проект всё так же невыгоден
19:25
Евгений Моргунов: небывалая история Бывалого
19:23
Рэкетир Трамп пугает корейцев войной и требует миллиард за защиту
19:22
Санкции от Макрона: Польша ответит за противостояние с Брюсселем?
19:22
Опубликован проект латинского алфавита для украинского языка
19:21
«Село - столице - опохмелиться»: пенсионер вернул Дмитрию Медведеву свою прибавку к пенсии
19:14
Россия выдержала американскую «разведку боем»
19:12
Российский корабль-разведчик превратился в мишень для турецких спецслужб
19:11
Украина готова ввести военное положение и погибнуть
09:26
Порошенко мастерит капкан на Трампа
09:23
«Украина ведет себя с Донбассом, как Гитлер с Ленинградом»
09:21
Судьбу союза России и Китая определят США
09:19
Agora Vox: Взрыв машины ОБСЕ: Киев опять винит во всем Донбасс
Все новости

Архив публикаций

«    Апрель 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
» » Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Структура ячейки RRAM памяти

Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая Джеймсом Туром (James Tour), занимаются проблемой RRAM-памяти с 2010 года. В качестве основного диэлектрического материала исследователи используют диоксид кремния (SiO2), и недавно им удалось совершить прорыв, разработав технологию формирования в слое диоксида кремния множества нанопор, токопроводящих нитей, которые выступают в роли отдельных ячеек RRAM-памяти из которых можно сформировать высокоплотный массив памяти.

"Наша технология является одной из немногих технологий, полностью удовлетворяющих каждому из требований широкомасштабного производства энергонезависимой памяти следующего поколения" - рассказывает Джеймс Тур, - "Процесс производства протекает при комнатной температуре, ячейки памяти имеют весьма низкое напряжение переключения и высокое соотношение значений сопротивления в различных состояниях. Ячейки не требуют расхода энергии при хранении информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку, обладают высокой надежностью и обеспечивают высокую скорость записи и чтения информации".

Массив ячеек памяти


Ключевым моментом разработанной исследователями технологии является процесс изготовления тонкой пластины из пористого диоксида кремния, но не просто пористого, а имеющего упорядоченную структуру из этих пор. Имея в распоряжении такой материал, остается только нанести на его поверхность сетку из электродов, что делается достаточно просто, и такой подход позволяет избежать того, что так не любят делать все производители чипов - создавать вокруг границ массива ячеек памяти сложные схемы электронного управления.

На всем вышеперечисленном преимущества использования нанопористого диоксида кремния не заканчиваются. Ячейки памяти на основе нанопор выдерживают в 100 раз большее количество циклов записи-стирания, нежели ячейки памяти предыдущего варианта. Кроме этого, в каждой ячейке может храниться до девяти бит информации, что является самым большим показателем по отношению к другим типам памяти, включая и RRAM-память.

В настоящее время исследовательская группа работает над совершенствованием разработанной ими технологии в направлении ее ориентации на условия массового производства. Тем временем ведутся мероприятии по патентованию и разрабатывается план лицензирования технологии для компаний, занимающихся выпуском микросхем памяти, некоторые из которых уже проявили интерес к новому типу RRAM-памяти, разработанному исследователями из университета Райс.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх