Лента новостей

17:36
День инженерных войск: как зародились, чем прославились и что представляют собой сегодня
17:36
Демарш Лукашенко. Белоруссия выдала Азербайджану гражданина России
17:29
Да они сами друг друга съедят. Командир ВСУ жестоко избивал и насиловал подчинённых
14:07
Александр Роджерс: Дональд Трамп — и вновь продолжается бой!
14:06
Бандера на флаге гарантирует Украине проблемы с Западом - польский политик
14:04
Американские СМИ: русскими овладела Трампомания
14:02
Беспорядки в Вашингтоне: «ПОЧЕМУ»
14:01
Дипломатическая пауза
14:00
Любимое пугало «креативного» класса
14:00
ТЫ нужен ему, президент РФ!
13:56
Романов Николай Николаевич
13:53
Американские студенты бегут от Трампа в Канаду
13:40
На Украине дома «АТОшников» помечают флагом Украины со свастикой
13:39
Восторги и проклятия: соцсети отреагировали на инаугурацию Трампа
13:38
Супруги Обама намерены немного отдохнуть после окончаний полномочий 44-го президента США
13:38
Порошенковцы валят всю вину на Яценюка: «Это его люди оскорбляли Трампа»!
13:37
Секреты опытных попрошаек. Посол Украины уговорил Трампа
11:27
Балтийские страны не халявщики в НАТО
11:19
Россия еще и в Ливии?
11:11
Киссинджер поддерживает Трампа по России
11:07
В Вооруженных Силах отмечается День инженерных войск
11:05
Об английской подлости по отношению к России
11:04
Раздел о правах ЛГБТ-сообщества удален с сайта Белого дома
11:04
Этот день в истории - 21 Января
11:03
Пакет Яровой: урезали, но не отменили
11:03
Фрэнсис Фукуяма: «Конец истории?». Заметки на полях
11:02
Хроника ближайшего будущего: небратья, как вы не садитесь, в партнеры Трампа не годитесь!
11:01
На своих условиях
11:01
«Ангел мира»: в Венгрии установлен памятник российским воинам
10:57
Ностальгия молодых по СССР
10:56
Разностороннее образование: в Германии сексуальное просвещение добралось до армии
10:56
Тень майдана над Америкой: Сорос объявил войну Трампу
10:55
Кернес отказал свидомым в переименовании проспекта Героев Сталинграда
10:54
Россия получила пункт ВМФ в сирийском Тартусе на 49 лет
00:46
Инаугурационная речь 45-го Президента США Дональда Трампа
00:44
Страх и ненависть в Давосе. Чего боится глобальная элита?
00:26
Сорос испугался будущего с Трампом
00:24
Это вам не «кровавый Янукович». «Русские» силовики Авакова растоптали стадо активистов в центре Киева
00:22
Инаугурация 45-го президента США Дональда Трампа
00:21
Киев приравнял активистов Майдана к участникам боевых действий
00:20
Порошенко в своем Twitter поздравил Трампа с инаугурацией
00:19
Шойгу доложили о начале строительства первого самолета Ту-160М2
00:14
Во Львове активисты изгоняли мусор пением гимна Украины и криками «Ганьба!»
00:13
Президент USR поблагодарил жителей мира
00:12
Украинские власти и британская модель экспорта демократии
Все новости

Архив публикаций

«    Январь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031 
» » Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Структура ячейки RRAM памяти

Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая Джеймсом Туром (James Tour), занимаются проблемой RRAM-памяти с 2010 года. В качестве основного диэлектрического материала исследователи используют диоксид кремния (SiO2), и недавно им удалось совершить прорыв, разработав технологию формирования в слое диоксида кремния множества нанопор, токопроводящих нитей, которые выступают в роли отдельных ячеек RRAM-памяти из которых можно сформировать высокоплотный массив памяти.

"Наша технология является одной из немногих технологий, полностью удовлетворяющих каждому из требований широкомасштабного производства энергонезависимой памяти следующего поколения" - рассказывает Джеймс Тур, - "Процесс производства протекает при комнатной температуре, ячейки памяти имеют весьма низкое напряжение переключения и высокое соотношение значений сопротивления в различных состояниях. Ячейки не требуют расхода энергии при хранении информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку, обладают высокой надежностью и обеспечивают высокую скорость записи и чтения информации".

Массив ячеек памяти


Ключевым моментом разработанной исследователями технологии является процесс изготовления тонкой пластины из пористого диоксида кремния, но не просто пористого, а имеющего упорядоченную структуру из этих пор. Имея в распоряжении такой материал, остается только нанести на его поверхность сетку из электродов, что делается достаточно просто, и такой подход позволяет избежать того, что так не любят делать все производители чипов - создавать вокруг границ массива ячеек памяти сложные схемы электронного управления.

На всем вышеперечисленном преимущества использования нанопористого диоксида кремния не заканчиваются. Ячейки памяти на основе нанопор выдерживают в 100 раз большее количество циклов записи-стирания, нежели ячейки памяти предыдущего варианта. Кроме этого, в каждой ячейке может храниться до девяти бит информации, что является самым большим показателем по отношению к другим типам памяти, включая и RRAM-память.

В настоящее время исследовательская группа работает над совершенствованием разработанной ими технологии в направлении ее ориентации на условия массового производства. Тем временем ведутся мероприятии по патентованию и разрабатывается план лицензирования технологии для компаний, занимающихся выпуском микросхем памяти, некоторые из которых уже проявили интерес к новому типу RRAM-памяти, разработанному исследователями из университета Райс.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх