Память HBM4 появится только в 2026 году и будет насчитывать до 16 слоёв
Гонка за лидерство в сегменте высокоскоростной памяти HBM вступает в решающую фазу: от того, кто первым наладит массовый выпуск HBM3e, напрямую зависит график выхода новых поколений ускорителей вычислений NVIDIA. Если раньше SK hynix была монопольным поставщиком, то теперь на арену выходят Micron и Samsung, превращая рынок в поле ожесточенной конкуренции с многомиллиардными ставками.
Дорожная карта памяти: кто задает темп?
Ключевым событием ближайших месяцев станет сертификация 8-слойных микросхем HBM3e. По данным отраслевых источников, именно этот этап определит, насколько плавно пройдет запуск ускорителей H200 и B100. Micron Technology, судя по всему, обеспечила себе небольшое преимущество, предоставив образцы для тестирования на несколько недель раньше конкурентов. Samsung, в свою очередь, подключилась к гонке лишь в начале октября, что ставит под вопрос её готовность к пиковому спросу в первом полугодии 2024 года.
Технические параметры и производственные планы
Память HBM3e обещает скорость передачи данных от 8 до 9,2 Гбит/с на контакт. При этом производственные процессы разнятся: Samsung использует техпроцесс класса 1-альфа, тогда как SK hynix и Micron — более совершенный 1-бета. Объем одного 8-слойного стека составит 24 Гбайт. Серийное производство все три компании планируют наладить к середине 2024 года, однако SK hynix и Micron намерены достичь этой цели уже к началу второго квартала, что дает им фору в несколько месяцев.
Влияние на экосистему ускорителей NVIDIA
График поставок HBM3e напрямую синхронизирован с планами NVIDIA. В следующем году компания представит ускорители H200, оснащенные шестью стеками новой памяти. Затем, ближе к концу года, последуют модели B100 с восемью стеками HBM3e. Параллельно будут выпускаться гибридные решения на базе Arm-совместимых процессоров — GH200 и GB200. Любая задержка со стороны поставщиков памяти может сдвинуть эти сроки, что скажется на всей цепочке поставок ИИ-инфраструктуры.
Позиции конкурентов: AMD и Intel
AMD придерживается более консервативной стратегии. В 2024 году компания сосредоточится на использовании HBM3 в своих ускорителях Instinct MI300. Переход на HBM3e запланирован лишь для серии Instinct MI350, причем тестирование совместимости начнется только во второй половине 2024 года, а фактические поставки — не ранее первого квартала 2025 года. Intel, в свою очередь, продолжает использовать HBM2e. Ускорители Habana Gaudi 2 оснащены шестью стеками, а их преемники Gaudi 3, хотя и увеличат их число до восьми, останутся на прежнем типе памяти.
Ужесточение конкуренции между SK hynix, Micron и Samsung — не просто борьба за контракты. Это лакмусовая бумажка, показывающая, как быстро индустрия сможет масштабировать вычислительные мощности для обучения больших языковых моделей. Пока NVIDIA диктует спрос, поставщики памяти вынуждены ускорять циклы разработки, рискуя качеством ради скорости вывода продукта на рынок.
Взгляд в будущее: память HBM4, которая появится не ранее 2026 года, сулит революцию в дизайне. Переход на 12-нм подложку и увеличение числа слоев до 16 к 2027 году — лишь верхушка айсберга. Куда более значимым трендом становится индивидуализация дизайна. Некоторые компании, включая NVIDIA, уже рассматривают возможность интеграции кристаллов HBM непосредственно на подложку с вычислительными ядрами. Если этот подход будет реализован, он полностью изменит архитектуру ускорителей, потребовав от производителей памяти и чипов беспрецедентного уровня кооперации.
