SK hynix начнёт разработку памяти HBM4 в 2024 году
Южнокорейская компания SK hynix в своём онлайн-блоге подтвердила, что приступит к разработке оперативной памяти с высокой пропускной способностью HBM4 уже в 2024 году. До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах.
Источник изображения: Wccftech
Говоря о памяти типа HBM, старший менеджер SK hynix Ким Ван Су (Kim Wang-soo) подчеркнул, что компания начнёт массовое производство памяти HBM3E — усовершенствованного варианта существующей памяти HBM3 — в 2024 году. Новая память будет предлагать повышенные скорости и ёмкость по сравнению с HBM3. Он добавил, что в следующем году SK hynix также планирует начать разработку своей памяти HBM4, что станет важным шагом в дальнейшей эволюции стека продуктов HBM производителя.
«Благодаря запланированному на следующий год массовому производству и продажам HBM3E наше доминирование на рынке снова усилится. Так как начало серьёзных работ по созданию нашего следующего продукта, HBM4, тоже запланировано на следующий год, SK hynix фактически вступит в новую эру продуктов HBM», — написал Ван Су.
С учётом того, что разработка HBM4 начнётся в 2024 году, первые продукты с данным типом памяти появятся на рынке не ранее 2025 или 2026 года. Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной карты дорожных продуктов от различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что она будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые потребительские образцы ожидаются в 2026 году.
Источник изображения: TrendForce
На базе стеков памяти HBM4 объёмом 36 Гбайт можно будет создавать продукты, в частности, ускорители вычислений, оснащённые до 288 Гбайт ОЗУ. В перспективе планируются ещё более ёмкие чипы HBM4. Известно, что память HBM3E обладает скоростью до 9,8 Гбит/с на контакт, поэтому от HBM4 следует ожидать скорость выше 10 Гбит/с на контакт.
Будущие специализированные графические ускорители NVIDIA Blackwell, скорее всего, будут использовать память HBM3E, поэтому памятью HBM4 можно будет увидеть в ускорителях, которые NVIDIA представит уже после них. Также не исключено, что HBM4 может появиться в неких обновлённых ускорителях Blackwell, как это было в случае с текущим поколением ИИ-ускорителей Hopper H200, которые получили память HBM3E.
