Samsung расскажет в феврале о 280-слойной флеш-памяти 3D QLC NAND и 32-гигабитные чипах DDR5-8000
Южнокорейский техногигант Samsung Electronics готовится к масштабному технологическому рывку, который переопределит стандарты производительности для твердотельных накопителей и оперативной памяти. На предстоящей конференции 2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (SSCC) в феврале компания представит не просто прототипы, а дорожную карту для целого спектра продуктов нового поколения. В центре внимания окажутся не только рекордные чипы GDDR7, но и принципиально новые решения для массового рынка хранения данных.
Прорыв в плотности хранения: 280-слойная QLC NAND
Ключевой анонс касается будущих чипов флеш-памяти 3D QLC NAND, которые будут насчитывать рекордные 280 слоев. Емкость одного такого кристалла составит 1 Тбит (128 Гбайт). Это прямое указание на то, как Samsung намерен решать проблему роста объемов данных в потребительском сегменте — от смартфонов до внешних SSD.
Показатели, опережающие время
Заявленные характеристики впечатляют даже на фоне текущих флагманских решений. Плотность записи достигнет 28,5 Гбит на квадратный миллиметр, а скорость последовательного чтения — 3,2 Гбайт/с. Для сравнения: самые быстрые современные чипы 3D NAND, используемые в топовых NVMe-накопителях, ограничены скоростью 2,4 Гбайт/с. Таким образом, прирост производительности составит более 30% без увеличения физического размера микросхемы.
Новая эра DDR5: планки памяти на 96 Гбайт
Параллельно Samsung раскроет детали о чипах оперативной памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с рекордной емкостью 32 Гбит (4 Гбайт) на один кристалл. Инженерам удалось добиться этого за счет применения симметричной мозаичной архитектуры ячеек памяти. Производство будет вестись по 5-му поколению техпроцесса Samsung 10-нм класса, что обеспечивает энергоэффективность и высокую плотность компоновки.
Такая плотность открывает путь к созданию модулей памяти, недоступных ранее в потребительском сегменте. На основе этих чипов производители смогут выпускать одноранговые планки DDR5-8000 объемом 32 и 48 Гбайт, а также двухранговые модули на 64 или 96 Гбайт. Это станет критически важным для рабочих станций, игровых ПК и серверов, где каждый гигабайт памяти на счету.
Ранее Samsung уже демонстрировала свои амбиции в области высокоскоростной памяти, анонсировав чипы GDDR7 с пропускной способностью 37 Гбит/с на контакт. Однако представленные на IEEE-SSCC решения нацелены на более широкий рынок: от массовых потребительских устройств до корпоративного сектора. Переход на 280-слойную архитектуру и DDR5-8000 знаменует собой завершение эры компромиссов между скоростью, объемом и энергопотреблением в памяти для конечных устройств. Влияние этих анонсов выходит далеко за рамки лабораторных тестов. Для конечных пользователей это означает появление доступных SSD объемом 4-8 Тбайт с производительностью, сопоставимой с современными чипами TLC, и модулей оперативной памяти, способных работать на частотах за 8000 МГц без потери стабильности. В индустрии это подстегнет конкуренцию, заставляя других производителей, таких как Micron и SK hynix, ускорять собственные разработки в области многослойной компоновки и высокочастотных интерфейсов.
