Intel уверена, что её ангстремный техпроцесс 18A будет лучше 2-нм TSMC N2 и войдёт в массовое производство намного раньше
Intel следует плану по освоению пяти передовых техпроцессов за четыре года и теперь готова представить свои ангстремные техпроцессы 20A (2-нм) и 18A (1,8-нм) раньше, чем конкуренты из TSMC и Samsung. Генеральный директор компании Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) считает, что Intel 18A, который планируется использовать в массовых продуктах во второй половине 2024 года, «немного опережает» технологию TSMC N2 (2-нм), которая запланирована на второе полугодие 2025 года.
Техпроцессы Intel 20А и 18А привнесли две основные инновации: полевые транзисторы с круговым затвором (GAA) и технологию подачи напряжения на полупроводниковый кристалл с его обратной стороны PowerVia. Предполагается, что Intel 20A послужит для изучения всех особенностей этих инноваций, а Intel 18A станет «технологическим трамплином», при помощи которого Intel рассчитывает восстановить своё лидерство в полупроводниковой промышленности. Intel планирует начать внедрение техпроцесса Intel 18A на своих фабриках в первом квартале 2024 года, а первые продукты, основанные на нём, станут доступны во второй половине 2024 года.
Источник изображений: Intel
TSMC планирует запуск массового производства по своему 2-нм техпроцессу N2 лишь во второй половине 2025 года. Кроме того, хотя N2 от TSMC будет использовать транзисторы GAA, схема подачи питания на кристалл, в отличие от Intel, останется традиционной. Это не мешает TSMC утверждать, что её улучшенная технология N3P, которая должна появиться в 2024 году, сможет обеспечивать сопоставимые с Intel 18A характеристики мощности, производительности и плотности транзисторов, а N2 превзойдёт как N3P, так и Intel 18A.
Гелсингер c этим не согласен, он уверен, что Intel 18A будет значительно превосходить TSMC N2 в производительности и энергоэффективности. Он также предположил, что внедрение N2 может в конечном итоге обойтись TSMC значительно дороже, что даст техпроцессам Intel ощутимое конкурентное преимущество.
