SK hynix начала массово выпускать первые в мире 24-Гбайт чипы LPDDR5X и анонсировала быструю LPDDR5T

В середине ноября 2023 года южнокорейский вендор SK hynix объявил о старте массового производства 24-гигабайтных модулей LPDDR5X. Эти чипы уже устанавливаются в серийные смартфоны, в частности в модели OPPO. Однако ключевой посыл компании не в цифрах ёмкости, а в том, что подобная комплектация — фундамент для эры «карманного искусственного интеллекта». По мнению разработчиков, полноценный ИИ на мобильных устройствах станет реальностью только при радикальном увеличении объёма оперативной памяти, и первые ласточки этого процесса уже появились на рынке. Новые модули способны пропускать через себя до 68 Гбайт данных в секунду, что эквивалентно передаче 13 фильмов в Full HD за одно мгновение.

Технологический прорыв в мобильной DRAM

Главное техническое отличие новинки — применение техпроцесса High-K Metal Gate (HKMG). Ранее эта технология, использующая тонкие изолирующие плёнки с высокой диэлектрической проницаемостью и металлические затворы, ассоциировалась исключительно с производством центральных процессоров. Перенос HKMG на мобильную память позволил резко снизить утечки тока. В результате чипы LPDDR5X ёмкостью 24 Гбайт работают в сверхнизком диапазоне напряжений — от 1,01 до 1,12 В, установленного стандартом JEDEC. Это напрямую влияет на энергоэффективность: производители получают возможность наращивать объём ОЗУ без критического удара по времени автономной работы.

Партнёрство с OPPO и планы на будущее

Первым флагманом, получившим 24 Гбайт оперативной памяти нового образца, стал OnePlus Ace 2 Pro (бренд, входящий в группу OPPO). Как заявил вице-президент OPPO по маркетингу Луис Ли, своевременная поставка этих микросхем позволила компании выпустить устройство с самой ёмкой DRAM в отрасли. Помимо OPPO, SK hynix подтвердила, что новую память получают и другие производители смартфонов, однако их имена пока держатся в секрете. По оценкам экспертов, гонка за гигабайтами в мобильном сегменте будет только усиливаться, поскольку именно многозадачность и работа с большими языковыми моделями требуют всё большего объёма буфера.

Турбо-режим: LPDDR5T как следующий шаг

Параллельно с массовым выпуском 24-Гбайт решений компания акцентирует внимание на скорости. Ранее в 2023 году была представлена память LPDDR5T (Turbo). В связке с платформами MediaTek Dimensity эти чипы продемонстрировали скорость передачи данных 9,6 Гбит/с на контакт шины. Это на 13% превышает официальные спецификации JEDEC для стандартной LPDDR5X. В SK hynix отмечают, что такие модули будут востребованы не только в смартфонах, но и в точках доступа, а также в других приложениях, критичных к скорости обмена данными.

Статус стандартизации

Однако внедрение LPDDR5T сдерживается формальностями. Комитет JEDEC пока не утвердил финальные спецификации для этого типа памяти. Ожидается, что технический стандарт будет принят до конца 2023 года, а первые коммерческие устройства с LPDDR5T появятся на прилавках в 2024 году.

Рынок мобильной памяти в последние годы развивался по принципу «больше — значит лучше», но теперь акценты смещаются. Ещё в 2022 году стандартом для флагманов считались 12–16 Гбайт ОЗУ. Однако появление генеративных нейросетей и локальных ИИ-ассистентов, работающих на устройстве, а не в облаке, кардинально меняет требования к аппаратной платформе. 24 Гбайт — это не просто маркетинговый ход, а техническая необходимость для комфортной работы с моделями, которые потребляют от 8 до 12 Гбайт оперативной памяти только на запуск. Таким образом, внедрение 24-Гбайт чипов LPDDR5X напрямую приближает момент, когда сложные алгоритмы машинного обучения перестанут быть прерогативой серверов и перейдут в карман пользователя.