Samsung превзошла TSMC по уровню выхода годных 3-нм чипов

Конкуренция Samsung и TSMC на рынке контрактного производства полупроводниковых компонентов по технологии 3 и 4 нм обостряется, и Samsung заявила, что ей удалось добиться сравнимого с показателями TSMC выхода годной продукции, пишет корейская газета Kukmin Ilbo. Кроме того, технология 4 нм стала для компании последним этапом использования транзисторов FinFET, которые дебютировали с переходом на нормы 16 нм.

Источник изображений: news.kmib.co.kr

Выход годных 4-нм кристаллов у Samsung Foundry, согласно собственному заявлению производителя, составляет 75 %, тогда как у TSMC это 80 %. Техпроцесс 4 нм используется в центральных и графических процессорах последнего поколения. А вот в передовой технологии 3 нм корейскому производителю удалось вырваться вперёд. Перейдя на новые нормы с транзисторами GAAFET (с круговым затвором), Samsung, по её собственному утверждению, добилась выхода годной продукции в 60 %, в то время как TSMC заявила лишь о 55 %.

Тем временем, напомнил ресурс TechPowerUp, подразделение Intel Foundry Services выпустило собственное решение, способное конкурировать с продукцией азиатских подрядчиков: технология Intel 3 на физическом уровне основана на 7-нм транзисторах FinFET, но предлагает характеристики, сравнимые с 3-нм чипами от Samsung и TSMC. И только в 2024 году американский производитель перейдёт на «честные» GAAFET и 2 нм.