SK hynix представила первую в мире 300-слойную память 3D NAND — она же стала самой быстрой

Инженеры SK hynix преодолели ключевой технологический барьер в производстве флеш-памяти, представив первый в мире чип 3D NAND с числом слоев, превышающим 300. Этот прорыв не только увеличивает плотность хранения данных более чем на 70%, но и обеспечивает значительный прирост производительности, что задает новые стандарты для всего рынка накопителей.

Инженерный прорыв: больше, чем просто слои

Создание памяти с более чем 300 активными слоями — это результат решения фундаментальной физической проблемы. По мере увеличения «высоты» чипа растет сопротивление управляющих линий (wordline), что напрямую угрожает быстродействию и энергоэффективности. Команде из 35 специалистов SK hynix удалось не просто нарастить слои, но и нивелировать этот негативный эффект, что и стало главным достижением разработки.

Пять инноваций для рекордной скорости

Рост производительности на 18% — до 194 МБ/с — обеспечила совокупность пяти новых технических решений, оптимизирующих основные операции с памятью:

• Метод тройной проверки программирования (TPGM) заменил двойную проверку, сократив время программирования ячеек.
• Адаптивный предварительный заряд невыбранной строки (AUSP) дополнительно ускорил работу с ячейками.
• Программируемая фиктивная строка (PDS) снизила паразитную емкостную нагрузку.
• Метод всепроходного нарастания (APR) улучшил время отклика при чтении данных.
• Повторное чтение на уровне плоскости (PLRR) повысило стабильность процесса стирания информации.

Практический результат: терабит на чипе

Конкретным воплощением этих улучшений стал прототип чипа емкостью 1 Тбит с трехбитными ячейками (TLC). Плотность размещения данных на кремнии превысила 20 Гбит/мм², что является рекордным показателем. Для сравнения, предыдущее поколение 238-слойной памяти SK hynix обеспечивало плотность 11.55 Гбит/мм².

Переход от 200 к 300 и более слоям стал логичным, но крайне сложным этапом в эволюции NAND-памяти. В последние годы конкуренция между производителями сместилась в плоскость наращивания этого параметра, так как он напрямую влияет на себестоимость гигабайта. Каждое новое поколение требовало преодоления ограничений в литографии и материаловедении.

Появление таких чипов в серийных продуктах в перспективе следующего года окажет влияние на весь рынок: от корпоративных SSD-массивов до потребительских ноутбуков и смартфонов. Это позволит предлагать устройства с большим объемом памяти при той же или более низкой цене, а также повысит энергоэффективность центров обработки данных за счет сокращения количества физических накопителей для хранения эквивалентных объемов информации.

Таким образом, анонсированная технология — это не просто технический рекорд, а конкретный шаг к более емким, быстрым и доступным решениям для хранения данных, которые вскоре найдут применение в коммерческих продуктах.