Лента новостей

07:45
Пентагон посадил Армению на ГМО иглу
07:43
Cорвана масштабная операция ВСУ по захвату территорий Донбасса, бойцы ДНР дали отпор врагу
07:42
Пасечник. Штрихи к портрету
07:40
«Сваты» vs «Супермен Грыцько»
07:39
Focus: Миг-31 заткнёт за пояс западных конкурентов
07:32
Моя непроизнесенная речь в Бундестаге
07:30
Оливер Стоун: западные СМИ отказываются писать правду о России и Путине
07:29
Вместо России «Анаконда» почему-то начала душить Украину
07:28
«Кое-какие факты»: Лукашенко готовит информационный удар по Киеву
07:27
Новый глава ЛНР Пасечник еще даст перца Украине
00:10
Cатира на ХХ век. Мастера советской карикатуры. Борис Ефимов
00:01
Плотницкий написал заявление об отставке
00:00
Спасение в золоте: Владимир Путин нашел России защиту от долларового рэкета
00:00
Этот день в истории - 25 Ноября
23:58
Моя непроизнесенная речь в Бундестаге
23:55
Bild: Путин может быть уверен — тезис о милитаризации промышленности в Восточной Европе услышали
23:40
Новая противоракета России: быстрее, выше, мощнее
23:38
«Кое-какие факты»: Лукашенко готовит информационный удар по Киеву
23:37
Новый глава ЛНР Пасечник еще даст перца Украине
23:17
EurasiaNet: США наращивают масштабы военной помощи Грузии
23:14
Донбасс берут за горло из «серых зон»
23:10
Путч в Луганске: плюсы и минусы для Украины
22:08
Смертельный «укус» для авианосца. Чем опасны российские корветы «Каракурт»
22:07
Американцы лишают Россию крупного рынка для вертолетов
22:03
Зеленский критикует СБУ: "От "Сватов" еще ни один человек не повесился!"
22:00
Экипаж аргентинской подлодки «Сан-Хуан» погиб
21:58
Лавров возмутился расположением ПРО США на карте
21:57
Украинская агентура провоцирует беспорядки в Луганске
21:55
Тереза Мэй обратилась к странам СНГ и Европы с резкой речью о России
21:54
Эксперт объяснил, почему европейские бизнесмены наладили торговлю с Крымом в обход санкций
21:53
Сирийская армия под носом у ЦАХАЛ отбила у боевиков ключевую высоту у Голанских высот
21:51
ЧВК Вагнера попросили вернуться на Донбасс, чтобы навести порядок
21:49
Впервые за десятки лет на Севморзаводе заложили тяжелый плавучий кран
21:42
Архив ЦРУ: Гитлер жив
21:33
Ее искали 7 лет, но нашли только сейчас
21:29
От курсанта и до генерала: как дополнительно зарабатывают военнослужащие ВСУ
21:16
«Самозванцы в чужой квартире». Американцы все же уйдут из Сирии
21:14
Российский «Спрут-СД» против «магического» танка КНР: секрет успеха китайской машины оказался прост
21:12
Рывок к авиабазе Абу Духур: сирийская армия берёт в клещи боевиков «ан-Нусры» в Алеппо
21:11
«Жертва аппарата СБУ»: эксперт оценил реакцию Зеленского по запрету сериала «Сваты» на Украине
21:09
Крымский мост хотят соединить прямой железной дорогой с Симферополем
21:08
Джульетто Кьеза: Дух русского народа оказался более стойким, чем предполагали его разрушители
21:04
Авиаконцерн «Сухой» передал партию новых Су-34 ВКС РФ
21:01
Созрели: страны Балтии решили бороться с ИГ
20:59
В бундестаге рассказали о влиянии антироссийских санкций на экономику Германии и о российском Крыме
Все новости

Архив публикаций

«    Ноябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930 


» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх