Российский литографический лазер подготовят не раньше 2026 года

Заместитель главы Минпромторга РФ Василий Шпак раскрыл сроки готовности первой отечественной лазерной установки для фотолитографии. Аппарат, создаваемый силами ГК «Лассард», поступит в серийное производство не ранее 2026 года. Этот шаг делает Россию третьей страной в мире, способной выпускать подобные системы — после Японии и США, где работают компании GigaPhoton и Cymer. Однако текущие характеристики оборудования указывают на то, что отечественная микроэлектроника пока сосредоточится на догоняющем, а не на передовом технологическом сегменте.

Первые прототипы и график испытаний

На данный момент специалисты ГК «Лассард» изготовили два опытных образца лазера. Полноценные испытания запустят уже в следующем году. К 2026 году планируется выйти на этап массового производства и интеграции установок в литографические линии. Таким образом, разработка проходит стандартный цикл от прототипа до промышленного внедрения, хотя изначально проект анонсировался с более оптимистичными сроками.

Технологические нормы: от 350 нм к 130 нм

Новый лазер будет применяться в оборудовании, рассчитанном на выпуск полупроводниковой продукции с проектными нормами 350 нанометров. В среднесрочной перспективе разработчики планируют освоить техпроцесс 130 нм. Эти показатели соответствуют уровню начала 2000-х годов, однако для российской промышленности, которая долгое время была отрезана от поставок западного оборудования, это критически важный шаг к технологическому суверенитету.

Дорожная карта на 90 нм и 65 нм

Как уточнил Василий Шпак, параллельно ведутся работы по освоению более тонких технологических норм — 90 и 65 нанометров. Для этого уже разрабатываются необходимые материалы и проводятся предварительные НИОКР. Эти показатели, хоть и не являются передовыми по мировым меркам (где уже освоены 3 нм и 5 нм), позволяют выпускать широкий спектр чипов для промышленной автоматики, автомобильной электроники и систем связи.

В 2022 году в СМИ появлялась информация о том, что в России уже готов первый прототип литографической установки, способной работать с 7-нанометровыми тестовыми структурами. Однако текущие официальные данные от Минпромторга смещают акценты: серийный выпуск начнется с «толстых» техпроцессов. Это говорит о том, что ставка делается на стабильность и массовость, а не на гонку за нанометрами. Создание собственного источника лазерного излучения — это не просто замена импорта, а формирование фундамента для целой экосистемы микроэлектроники. Без такого оборудования производство микросхем внутри страны оставалось бы критически зависимым от внешних поставщиков. Хотя 350 нм и 130 нм далеки от планки в 7 нм, для оборонной промышленности, энергетики и базовой бытовой техники этих мощностей достаточно. Успешный запуск лазера в 2026 году фактически закроет вопрос о возможности существования в России замкнутого цикла выпуска полупроводников средней сложности.