IBM показала GAA-транзисторы, заточенные под охлаждение жидким азотом
Проблема порогового напряжения: почему холод мешает транзисторам
Современные GAA-транзисторы (Gate-All-Around) с кремниевыми нанолистами, пришедшие на смену FinFET, позволяют разместить до 50 миллиардов элементов на чипе размером с ноготь. Однако их потенциал раскрывается не полностью. При погружении в жидкий азот (температура 77 К или -196 °C) скорость прохождения электронов через канал резко возрастает, а энергопотребление падает. Исследователи IBM зафиксировали двукратный прирост производительности по сравнению с комнатной температурой.
Проблема, как выяснилось, кроется в физике полупроводников. С понижением температуры растет пороговое напряжение — минимальная энергия, необходимая для открытия транзистора. Старший научный сотрудник IBM Жуцянь Бао поясняет, что стандартные производственные методы бессильны против этого эффекта. Если не решить проблему, выигрыш от снижения сопротивления и рассеивания энергии будет сведен на нет ростом напряжения переключения.
Новый подход: двойные диполи и металлические затворы
Вместо поиска экзотических материалов инженеры IBM применили комбинаторный метод. Технология основана на использовании пар транзисторов n- и p-типов, где в качестве примесей выступают разные металлы. На границе раздела этих пар формируются двойные диполи — структуры, которые искусственно снижают энергетический барьер для электронов.
Это позволило эффективно управлять краем зоны проводимости. В результате транзисторы, изготовленные по 2-нм технологии, научились стабильно переключаться при низких температурах, сохраняя низкое пороговое напряжение. Методика не требует внедрения нового оборудования на фабриках и совместима с существующими КМОП-процессами.
На данный момент продемонстрирован работающий прототип, который подтверждает, что сочетание GAA-структуры с криогенным охлаждением и модифицированными затворами — это не теория, а инженерная реальность.
Снижение температуры до 77 К радикально меняет физику работы транзистора: уменьшается рассеяние носителей заряда, падает сопротивление проводников. Однако до сих пор считалось, что выгода от этого нивелируется ростом порогового напряжения. Решение IBM с двойными диполями ломает это ограничение, открывая путь к гибридным вычислительным системам, где часть блоков работает при комнатной температуре, а критически важные модули — в криогенной среде. Данное достижение имеет прямое отношение к развитию квантовых вычислений и высокопроизводительных серверов. Если удастся наладить серийный выпуск таких чипов, это позволит создавать компактные системы с производительностью, недостижимой для традиционного воздушного охлаждения. В ближайшие годы именно борьба за эффективность охлаждения станет главным полем битвы производителей полупроводников, и технология IBM может задать новый стандарт в этой гонке.














