В России сформируют производство химических материалов для микроэлектроники
Минпромторг запускает программу импортозамещения химических реактивов для микроэлектроники: общая стоимость контрактов на разработку технологий производства шести критически важных соединений превышает 1,9 миллиарда рублей. Речь идет не просто о закупках, а о создании с нуля отечественных компетенций в сегменте, который ранее полностью зависел от зарубежных поставок.
Смена технологического базиса: от закупок к собственным НИОКР
Отказ от импорта ключевых химикатов поставил российскую микроэлектронику перед жестким выбором: либо найти способ синтезировать сырье внутри страны, либо столкнуться с остановкой производственных линий. Ведомство выбрало первый путь, инициировав серию научно-исследовательских работ. Цель — разработать промышленные регламенты для получения шести веществ, без которых выпуск современных микросхем невозможен. В перечень вошли сернокислый аммоний, высокочистый оксид бора, трибромид бора, высокочистый фосфор, марганцовокислый калий и особо чистая перекись водорода. Каждое из этих соединений выполняет уникальную функцию в процессах легирования, травления и очистки кремниевых пластин. Стоимость отдельных контрактов варьируется от 150 до 780 миллионов рублей, что отражает различную сложность и капиталоемкость проектов.Распределение заказов: кто будет создавать новую химию
Ключевым условием программы стало привлечение профильных институтов и университетов, уже имеющих научный задел. Распределение заказов выглядит следующим образом:- НИЦ «Курчатовский институт» получил задачу по освоению выпуска сернокислого аммония — реагента, используемого в качестве травителя и компонента электролитов.
- Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева займется высокочистым оксидом бора, критичным для создания легирующих слоев.
- Инжиниринговый химико-технологический центр на базе Томского госуниверситета возьмется за трибромид бора — один из основных источников бора для ионной имплантации.
- АО «Гиредмет» поручена разработка технологии выпуска высокочистого фосфора, необходимого для создания n-типа проводимости в полупроводниках.
Опубликовано: Мировое обозрение Источник















