Ученые из Китая разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи

Китайские ученые разработали устройство флеш-памяти с самой быстрой в мире скоростью записи, которая достигает один бит в 400 пикосекунд, передает в четверг агентство Синьхуа. Ранее ученые опубликовали информацию о разработке в журнале Nature.

«Китайская исследовательская группа разработала революционное устройство флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит в 400 пикосекунд, установив новый рекорд для самого быстрого полупроводникового запоминающего устройства», — говорится в сообщении агентства.

Синьхуа отмечает, что группа ученых из Фуданьского университета в Шанхае разработала двухмерную энергонезависимую флеш-память с графеновым каналом, которая получила название «PoX». Агентство подчеркивает, что «PoX» превосходит даже самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которым требуется около одной-10 наносекунд для записи одного бита данных.

Пикосекунда — единица измерения времени, представляющая собой одну триллионную часть секунды.