SK hynix расскажет в феврале о памяти GDDR7 и более скоростной HBM3E
На предстоящей конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в феврале, не только компания Samsung собирается рассказать о новом поколении видеопамяти GDDR7. Аналогичную разработку собирается анонсировать компания SK hynix.
Источник изображения: SK hynix
Память GDDR7 от SK hynix предложит скорость 35,4 Гбит/с на контакт. Это меньше, чем у памяти Samsung, для которой заявляется скорость 37 Гбит/с. Однако в обоих случаях чипы будут обладать объёмом 16 Гбит. Благодаря этому при поддержке графическим процессором 256-битной шины памяти на одной стороне видеокарты можно будет разместить до 16 Гбайт памяти.
Далеко не все микросхемы нового поколения памяти GDDR7 предложат скорость 37 Гбит/с. Некоторые чипы будут медленнее, как в случае с SK hynix. Однако своё применение они тоже найдут несомненно. Как и Samsung, компания SK hynix использует в GDDR7 схему амплитудно-импульсную модуляция PAM3, а также собственную энергоэффективную архитектуру. Правда, компания не поясняет, какую именно и похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты, как в чипах Samsung.
Память GDDR7, как ожидается, будет активно использовать в новом поколении графических ускорителей, как в игровом, так и в профессиональном сегментах. Однако рынки ИИ-вычислений и HPC будут по-прежнему в значительной степени полагаться на высокопроизводительную память HBM3E. У SK hynix и здесь есть новинки. Производитель собирается рассказать о новых 16-слойных стеках памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, способных обеспечить скорость 1280 Гбайт/с. Графический процессор, оснащённый четырьмя такими стеками памяти общим объёмом 192 Гбайт, сможет обеспечить пропускную способность на уровне 5,12 Тбайт/с.
В составе нового стека памяти HBM3E от SK hynix реализована новая схема всестороннего питания TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS. Производитель также собирается показать новую память LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких ноутбуков. Эти чипы обеспечивают скорость передачи данных до 10,5 Гбит/с на контакт и работают при напряжении 1,05 В.
