Samsung начала поставки образцов 24-Гбит чипов HBM3E с пропускной способностью 1,228 Тбайт/с

Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics начал поставки опытных образцов микросхем памяти HBM3E пятого поколения под кодовым названием Shinebolt. Этот шаг может кардинально изменить расстановку сил на рынке решений для искусственного интеллекта, где до сих пор доминировала компания SK hynix. В то время как спрос на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для ИИ-задач продолжает расти, конкуренция между производителями памяти переходит в решающую фазу.

Превосходство в скорости: первые тесты Shinebolt

Согласно заявлениям производителя, новые чипы HBM3E демонстрируют прирост пропускной способности примерно на 50% по сравнению с решениями предыдущего поколения от самой Samsung. Опытные образцы Shinebolt имеют восьмиярусную компоновку, состоящую из 24-гигабитных микросхем. Однако ключевой интригой стали результаты первых тестов: пропускная способность новинки достигла 1,228 Тбайт/с. Этот показатель превышает аналогичные характеристики чипов HBM3E от SK hynix, которая на данный момент считается лидером в данном сегменте.

Технологическое противостояние: TC-NCF против MR-MUF

Разница в подходах к производству становится главным полем битвы между двумя вендорами. Samsung последовательно применяет метод термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В то же время SK hynix использует более современную технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), которая предполагает объединение нескольких чипов на одной подложке через спайку. При этом Samsung не останавливается на достигнутом: компания активно исследует процессы гибридной спайки для сборки стеков памяти, что может дать ей технологическое преимущество в будущем.

В настоящее время Samsung завершает разработку 12-ярусных чипов HBM3E ёмкостью 36 Гбайт. Это позволит нарастить объём памяти в системах искусственного интеллекта без увеличения занимаемого пространства, что критически важно для серверных решений нового поколения.

Рынок высокопроизводительной памяти для ИИ переживает бум. Ранее SK hynix удалось закрепить статус лидера, первой начав поставки HBM3E для ключевых заказчиков, включая NVIDIA. Однако новые образцы Samsung с более высокой пропускной способностью ставят под сомнение монополию конкурента. Успех Shinebolt будет зависеть не только от скорости, но и от стабильности поставок и способности Samsung наладить массовое производство 12-ярусных стеков раньше, чем это сделает SK hynix.