SK hynix запустила массовое производство 238-слойных чипов NAND — они подойдут для PCIe 5.0 SSD

Южнокорейский производитель SK hynix официально объявил о начале серийного выпуска 238-слойной памяти 4D NAND, что знаменует собой не просто очередное обновление спецификаций, а качественный скачок в производительности твердотельных накопителей. Новые чипы, работающие на скорости интерфейса 2400 МТ/с, создают технологическую базу для SSD с интерфейсом PCIe 5.0 x4, способных развивать скорость последовательного чтения и записи свыше 12 Гбайт/с. Однако главный вопрос, который сейчас волнует рынок, — как быстро эти инженерные достижения превратятся в доступные для массового потребителя устройства.

Прорыв в скорости: от 1600 до 2400 МТ/с

Ключевым параметром для новых 238-слойных чипов TLC NAND является именно скорость интерфейса. Предыдущее поколение с показателем 1600 МТ/с уже не могло полностью раскрыть потенциал шины PCIe 5.0. Увеличение этого показателя на 50% позволяет контроллерам накопителей работать без узких мест, обеспечивая передачу данных с максимальной эффективностью. Для конечного пользователя это означает сокращение времени загрузки операционной системы, приложений и объемных файлов до секунд.

Экономика нового техпроцесса

Помимо скоростных характеристик, важным аспектом является экономическая эффективность. Переход на 238 слоев позволяет снизить стоимость одного гигабайта хранилища на 34% по сравнению с 176-слойными предшественниками. Это достигается за счет более плотной компоновки ячеек и увеличения выхода годных кристаллов с одной пластины. Производитель также заявляет о 21-процентном снижении энергопотребления при операциях чтения, что критически важно для портативных устройств — от ноутбуков до смартфонов.

Технически новые чипы построены на архитектуре 4D NAND, что является маркетинговым названием для комбинации технологии ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash) и фирменной компоновки с переносом логики под массив ячеек (Peripheral Under Cells). Это решение позволяет уменьшить физические размеры кристалла, не жертвуя его емкостью.

Первыми устройствами, которые получат новые накопители, станут флагманские смартфоны. В SK hynix подтвердили, что продукты на базе 238-слойной памяти начнут влиять на финансовые показатели компании уже во второй половине текущего года. Это говорит о том, что индустрия находится на пороге масштабного перехода на новое поколение флеш-памяти.

Ранее отрасль пережила цикл перехода от 96-слойной к 128-слойной архитектуре, который занял около двух лет. Нынешний скачок с 176 до 238 слоев происходит на фоне жесткой конкуренции между SK hynix, Samsung и Micron, каждая из которых стремится занять лидирующие позиции в сегменте высокопроизводительных SSD.

Успешное внедрение 238-слойной NAND способно кардинально изменить рынок хранения данных. Снижение стоимости гигабайта при росте скорости сделает терабайтные SSD стандартом для среднебюджетных ПК и ноутбуков. Для серверного сегмента и систем искусственного интеллекта, где скорость доступа к данным является критическим фактором, такие накопители позволят ускорить обработку больших массивов информации. Однако массовая доступность устройств на новых чипах будет зависеть от темпов перехода производителей на новые контроллеры и логистических цепочек поставок.