TSMC объяснила, за счёт чего рассчитывает увеличить выручку на падающем рынке

Несмотря на прогнозируемый спад на глобальном рынке полупроводников, крупнейший контрактный производитель чипов TSMC рассчитывает завершить 2023 год с ростом выручки. Ключом к успеху станет стратегия компании, фокусирующаяся на увеличении доли передовых технологий и географической диверсификации производства, что позволит нивелировать падение в сегментах потребительской электроники.

Оптимизм на фоне общего спада: прогнозы TSMC для отрасли

По оценкам руководства TSMC, вся полупроводниковая отрасль, исключая память, по итогам текущего года может сократить выручку на 4%. Сегмент контрактного производства (foundry) ожидает снижение на 3%. Однако сама компания намерена показать положительную динамику даже в этих условиях. Генеральный директор Си-Си Вэй подтвердил, что в долларовом выражении выручка TSMC в 2023 году должна слегка вырасти.

Драйверы роста в условиях кризиса

Руководство компании признаёт, что рынки смартфонов и персональных компьютеров продолжат демонстрировать снижение поставок. Однако этот негативный тренд компенсируется двумя основными факторами. Во-первых, продолжает расти удельное содержание и сложность чипов в каждом устройстве. Во-вторых, TSMC активно расширяет портфель продукции и осваивает новые рыночные ниши, такие как высокопроизводительные вычисления и автомобильная электроника.

Стратегические инвестиции: фокус на передовые узлы и упаковку

Капитальные затраты компании в текущем году остаются на высоком уровне и составят от 32 до 36 миллиардов долларов. Распределение этих средств чётко отражает приоритеты. Около 70% инвестиций направят на развитие передовых литографических процессов, включая 3-нанометровые и более тонкие технологии. Ещё 20% будут вложены в специализированные, преимущественно зрелые, техпроцессы. Оставшиеся 10% планируется потратить на развитие продвинутых методов упаковки чипов, что становится критически важным для повышения производительности.

Географическая экспансия зрелых технологий

Особое внимание компания уделяет расширению мощностей по производству чипов по так называемым зрелым техпроцессам (от 28 нанометров и выше). В течение следующих пяти лет TSMC готова разместить до 20% таких мощностей за пределами Тайваня. Строящееся в Японии предприятие, запуск которого намечен на конец 2024 года, будет использовать нормы 28, 22, 16 и 12 нанометров. Параллельно расширяется выпуск 28-нанометровых чипов на фабрике компании в Китае. Также рассматривается возможность создания производства в Европе, что обусловлено стабильным спросом со стороны местного автопрома.

Решение о строительстве новых фабрик за рубежом, однако, жёстко привязано к экономической целесообразности. В TSMC отмечают, что расходы на возведение предприятия в США могут быть в четыре-пять раз выше, чем на Тайване. Разницу компания рассчитывает покрыть за счёт государственных субсидий в рамках программ, подобных американскому CHIPS Act. При этом операционные расходы, включая стоимость рабочей силы и коммунальных услуг, в США выше лишь примерно в полтора раза.

Автомобильный сегмент остаётся для TSMC точкой роста на фоне сохраняющегося структурного дефицита. Спрос на чипы для автомобилей продолжает опережать предложение, и компания планирует существенно нарастить их поставки в текущем году. Это подчёркивает стратегический сдвиг отрасли: фокус смещается с массовой потребительской электроники на специализированные рынки с высокой добавленной стоимостью, где зависимость от полупроводников только усиливается.

Планы TSMC по экспансии зрелых техпроцессов за рубежом являются прямым ответом на глобальную политику решоринга и стремление ключевых экономик обеспечить технологический суверенитет. Ранее производство таких чипов было сосредоточено в Азии, но растущие геополитические риски и логистические проблемы заставляют компании и правительства пересматривать цепочки поставок. Успех этой стратегии для TSMC будет зависеть не только от субсидий, но и от способности адаптировать свою высокоэффективную бизнес-модель к новым, зачастую более затратным, производственным локациям.