Лента новостей

10:03
Визитом в ДНР Савченко провоцирует свой арест на Украине
10:02
23 февраля—это праздник и точка
02:32
Активисты в США призвали посадить Обаму в тюрьму из-за событий на Украине
02:31
План Макгрегора: российский Крым и нейтральная Украина
02:30
Поставки на Донбасс: из России с любовью
01:38
В Австрии на месте бывшего концлагеря хотят наладить колбасное производство
01:36
Захарченко: «Вопрос о федерализации больше не рассматривается»
01:36
Протест Японии подтвердил верность решения о дивизии на Курилах
01:35
В США разработали план по отстранению Трампа от власти
01:34
«Пройдусь по Карателей, сверну на Нацистов»
01:33
На Украине ввели понятие «человек неопределённого пола»
01:29
Россия избавила Украину от крымских убытков
01:26
Трансляция церемонии открытия III зимних Всемирных военных игр в Сочи
01:24
Отличный старт России на Всемирных военных играх: девять медалей в копилке нашей сборной
01:20
США распродают узбекские МиГ-29, Су-25 и Су-27
01:18
«Утка» по-французски: как на самом деле будет выглядеть новый истребитель МиГа
00:00
Этот день в истории - 25 Февраля
19:09
«Пушечное мясо» или «краеугольный камень»?
19:05
«Ключи от мирового господства хранятся в Москве»
19:03
Каково быть русским студентом в Нью-Йорке
18:58
США готовят против России и Китая «Решительные действия»
15:03
Границы Норвегии могут оказаться в опасности
14:59
Украинская карта в тайных схватках Рокфеллеров с Ротшильдами
13:05
Трамп поговорит с Путиным о ядерных арсеналах
13:00
Третья сила для Севастополя
12:57
Кто и как готовил переворот в Крыму
12:53
В Токио испугались дивизии Шойгу
12:50
Остановить сближение Китая и России
09:50
Украина - точка сборки европейского террора
09:49
«Тигры» и ВКС РФ берут под огневой контроль оплот ИГИЛ в Алеппо, уничтожая и беря в плен боевиков
09:48
Украина оказалась очень плохим инструментом для США, но хорошо послужила России
09:35
Воспитание детей в России глазами американки
09:30
Необитаемый полуостров, Украина, заказывала?!
09:29
ЛУЧШИЕ защитники Отечества: незаменимым БЫТЬ!
09:27
Козьма Крючков
09:24
«Два в одном» по-русски
09:20
В чём «Stealth» уступает российским РЛС
09:19
Украинской армии пообещали за год передать 60 самолетов
09:18
Саакашвили обвинили в посягательстве на территориальную целостность Украины
09:10
Однолагерник Солженицына: «Зачем вы темнили в лагере, а потом на воле?»
09:00
Истребители F-22 и F-35 — «стратегическая ошибка» Пентагона
08:59
В России разрабатывается сверхдальняя ракета для модернизированного стратега Ту-160М2
00:00
Этот день в истории - 24 Февраля
20:36
Время побеждать! День защитника Отечества - стимул для атлетов
08:55
Вернулся от агрессора в европейскую реальность: в Ровно повесился гастарбайтер, депортированный из РФ
Все новости

Архив публикаций

«    Февраль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728 
» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх