Лента новостей

16:24
Марш в европейское будущее
16:23
Доктор Комаровский: Каждый третий украинец умрет от рака из-за «реформ» в Минздраве
16:23
«Панда» отдыхает: после Революции достоинства с госпредприятий Украины было украдено около 80 млрд гривен
16:22
«Свобода» запретила в Черновцах оппозиционеров и коммунистов
16:19
Данальда Трампа призывают открыть Врата Ада!
16:17
Что будет дальше: НАТО вступил в войну с ИГИЛ
16:17
Может ли ИКАО запретить России летать в Крым
16:16
Кто подставил пресс-секретаршу?
16:08
Смерть с небес: ИГИЛ публикует кадры атак самолетов и вертолетов ВКС
14:37
Америка: Кремль опаснее, чем ИГИЛ
14:35
Ostthuringer Zeitung: Санкции только укрепляют Россию
14:19
Киеву пообещали «ночь длинных ножей»
13:07
Бунт «бляхарей»
13:02
Бойцов ОМОНа возьмут на контракт
12:58
Британский аналитик: Пекин и Москва нашли альтернативу западным саммитам
12:58
WSJ: Трамп оставит антироссийские санкции Обамы в силе
12:53
Германии не стыдно за зверства Вермахта? Немец об идее русских недолюдей
12:48
Трамп и НАТО: бычок на лбу не затушил - и на том спасибо.
12:46
Бойня в Манчестере — чужая война
12:46
Балансирующий Вашингтон
12:31
Ваше слово, товарищ «маузер»!
12:30
Размышления на тяжелую тему
12:11
США вгонят союзников в кредитную кабалу
11:37
Украинский креативный ренессанс
11:36
Утомленные Порошенко: в Берлине вспомнили о Тимошенко
11:35
Грузия получила «братский привет» от России
11:34
Военно-морские мучения Пентагона: как разваливается флот США
09:46
Львов начинает заваливать мусором всю Украину
09:46
Америка пытается превратить С-400 в груду бесполезного металла
09:46
«Холодные» методы: в США предлагают выделить $100 млн на противодействие Кремлю
09:45
Киевское метро подняло цены на проезд, потому что «народ богатеет»
09:44
Компания «Сухой» передала ВКС первую в этом году партию самолетов Су-34
09:44
«Кувалда для авианосца» и советская «Буря»: ракеты-монстры из СССР
09:43
Der Spiegel: Пора говорить с Турцией жестко
09:41
Вертолет Ка-226Т превратят в робот-беспилотник
09:40
Наполеон проиграл Ватерлоо, Гитлер проиграл Берлин...Ваша очередь, господин Трамп
09:39
Тем временем в Бразилии, где с майданом что-то пошло не так
09:35
Брюссельские смотрины: Трамп отказался слушать скулёж Порошенко
09:31
Чем плохи и чем хороши новые российские вертолеты
09:30
Грабеж по-киевски: зачем Украина избавляется от собственных граждан
09:29
Боевой гопак и ночь длинных ножей
09:22
Нацбанк Украины так и не получил деньги Януковича
09:21
«Рэволюция гiдности» как предпродажная подготовка Украины
09:20
Как разваливали СССР: ЦРУ рассекретило документы о Горбачеве
09:17
ФБР проводит проверку в отношении зятя Трампа Кушнера по делу «о связях с Россией»
Все новости

Архив публикаций

«    Май 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031 
» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх