Лента новостей

13:28
Украине не до «Евровидения», но она найдет деньги
13:24
В ожидании крупной победы: в Узбекистане подводят итоги президентских выборов
13:22
Премьер Италии Маттео Ренци объявил о решении уйти в отставку
13:22
Война, начатая американским вторжением в Ирак, продолжается 13 лет
13:21
Первые саперы из РФ прибыли в Сирию
13:20
Украинские кинотеатры отказались брать в прокат фильм о бандеровцах
13:19
Атака «кружевными трусиками»
13:18
У Меркель готовят общественное мнение: выиграть выборы её партии помешают «русские хакеры»
13:18
Потомок эмигрантов из России победил на выборах в Австрии
13:17
Der Freitag: Русские и украинцы «спелись» против неонацистов и принудительной украинизации
13:15
В Алеппском котле начались бои между джихадистами на фоне успехов армейцев
13:14
Звонок турецкому султану
13:07
Непробиваемая оборона: В Сирии развернут дивизион С-300
13:02
National Interest: Странная задача для российского истребителя
13:00
Украина готовится к полной потере транзита российского газа
12:59
Новые русские войны: почему это нормально
12:56
Когда Европа прогибается перед Эрдоганом
12:44
Трамп просто актер?
12:42
Чего боится украинская власть?
12:37
Киев выключает свет
09:42
Почему мы теряем русский язык?
08:57
Какова главная цель Турции в Сирии?
08:52
Порошенко решили «не резать»
08:50
Антироссийские политики опаснее русских
08:39
Андрей Ваджра: Последние дни западного мироустройства
08:38
За веру, царя и Отечество!
08:36
Кризис российского космоса: ни одного пуска в интересах государства на протяжении полугода
08:35
Сила интернета. Целевая аудитория – вся Россия
08:33
«Один я Д’Артаньян»: Коломойский вывалил компромат на Порошенко, Тимошенко и Саакашвили
08:30
Документальный фильм: «Почему я бездомный?»
08:29
Богатый бог-правитель, или Мифология и древний смысл богатства и скупости
08:28
Эксперт: легализация бэби-боксов равносильна легализации наркоторговли
00:00
Этот день в истории - 5 Декабра
23:50
Океанский исполин: как «Адмирал Кузнецов» опередил свое время
23:26
Обама пробует устроить ловушки для Трампа
23:22
Италия – новый эпицентр политического и финансового землетрясения в ЕС
23:21
Эрдоган предложил Путину отказаться от долларов в сделках России и Турции
23:20
В Узбекистане выбирают нового президента
23:20
Украина не может обойтись без угля из Донбасса
23:12
ОБСЕ на Донбассе: О чём молчит Александр Хуг
23:11
После пинка под Одессой украинские укро-«херои» отыгрались на арабских моряках. Пора вводить ЧФ на Дунай?
23:10
Украина отказалась выплачивать компенсацию за разворот самолета «Белавиа»
23:06
Немецкие бизнесмены планируют производить в Крыму масло и шланги
23:05
Сирийский город Эт-Талль полностью перешёл под контроль правительства
22:57
Die Welt: По масштабу миграции в ЕС конкурировать с украинцами могут только арабы
Все новости

Архив публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 
» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх