Лента новостей

10:12
Что не так с российским интернетом?
10:11
Минобороны нашло замену чешским L-39
10:10
«В одесской СБУ ждут «Русского мира» и просят их не расстреливать»
10:09
Почему госдеп США объявил Донбасс зоной войны
10:08
И они собрались воевать с Россией: Войска США побились при десантировании
10:05
«Социология» на службе «украинского мира»
10:02
Евросоюз пригрозил ответить на не согласованные с ним санкции США против России
09:57
Почему либералы яростно кричат о якобы возрождении в нашей стране сталинизма
09:56
Два разрыва на одной кулисе
09:06
Через ЦБ РФ мы платим США дань как уже побежденные
09:03
Россия и Китай в «Европейском море»
08:55
В пятом поколении Т-50 нет равных
08:45
The Washington Post: Санкции: конгрессмены договорились
08:40
Этот день в истории - 24 Июля
02:23
ВРТ-300: прототип мощного вертолета-беспилотника от «Вертолетов России»
02:22
Роботы-дояры: в России стартует программа модернизации старых молочных ферм
02:20
Зачем Западу конфликт в Приднестровье: Додон раскрыл антироссийский план
02:19
Сотрудничество России и Никарагуа вызывает страх в США
02:16
Легендарный режиссер Эмир Кустурица признал Крым российским
02:14
Впускать или не впускать? Крым разделился по вопросу туристов из Украины
01:59
Огневая мощь САА: кадры разгрома позиций повстанцев в Айн-Тарма
01:58
Газовые козни Польши и Украины: ЕС отменил иски по Opal к Северному потоку-2
01:57
CNN предсказал неожиданный ответ России на новые санкции США
01:57
Свобода в интернете: о чем молчат либералы в России
01:56
Ополченцы рассказали о бойне под Донецком: весь «хлеб» собрали...
01:55
Планета обезьян: война, чепуха на постном масле
01:53
Браво маэстро! Николай Цискаридзе. О пятой колонне жалких иуд, и остальных продажных предателях россии !!
01:52
Подвиг командира Князя из ДНР: подорвался на гранате, лишь бы не к «укропам» в плен
01:51
Андреевскому флагу над Мировым океаном быть
01:50
Москва должна искать ответ на санкции и новые реалии мировой политики
01:49
Эдуард Лимонов: Почему Россию боятся
01:48
Модульные корветы усилили «морскими убийцами»
01:47
Сверхзащищенные Т-72Б3 поступили в легендарный 68 танковый полк
01:46
Завеса артогня остановит «джихад-мобили»
01:31
Почему до сих пор не найдены виновные в катастрофе MH-17
01:30
Трамп поддержал законопроект о новых санкциях против РФ
01:29
Курт Волкер посетил Донбасс. Что изменится после визита?
01:28
Петр Порошенко пустил Украину с молотка
01:27
С кем воевали наши предки?
01:25
Вести в 20:00. Воскресный выпуск. Итоги недели от 23.07.17
11:17
Волкер едет на Донбасс: Киев ультимативно отказывается от выполнения Минска-2
11:16
«Мова» для «быдла»
11:16
Сирийские войска вышли к южному берегу Евфрата
11:15
Бойня в Идлибе: «Аль-Каида» обретает огромное влияние, захватывая 30 городов и поселков, поглощая 15 исламистских банд
11:10
МИД ФРГ угрожает: турбины в Крым выводят немцев на чистую воду
Все новости

Архив публикаций

«    Июль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31 
» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх