Лента новостей

13:21
10 секретов нашей психики
13:19
Кулуары власти: 7 организаций, которые определяют мировую политику
13:18
Песков рассказал о хакерских атаках на сайт президента России с территории США
13:16
Калининград предложил Литве поставлять стройматериалы для стены на границе с Россией
13:15
В районе Бишкека разбился грузовой самолет
13:14
Трамп: «Снятие санкций с РФ возможно в обмен на соглашение по ядерному оружию»
12:02
В конфликте Туска и польских властей на кону стоит пост главы Евросовета
12:01
Демократия спешит в Багдад: Госдеп научит иракцев американским ценностям
12:00
Сербия пригрозила ввести войска в Косово
11:46
На Западной Украине новое обострение «янтарной войны» со стрельбой и захватом заложников
11:44
Байден прибыл в Киев с официальным визитом
11:43
Чубайс призвал ликвидировать неэффективные электростанции
11:42
Окружают демоны!
11:33
Исповедь офицера Морской пехоты США о русских
11:31
«Путин пришел к власти с помощью компромата»
11:29
Лукашенко построит секретные лагеря для беженцев из России
21:12
Александр Роджерс: F-35 и злая реальность для Пентагона
21:09
Благодетель
21:05
Ну, сколько же можно, Россия?!
21:04
Немец, не паникуй, русский уже уходит
21:03
Турция? Литва? Всем по стене – угощаю!
21:02
Куропаткин Алексей Николаевич
21:00
Трамп готовит атаку на Обаму? Демократов не пригласили на инаугурацию, а спецслужбы заставят объясниться за фейки
20:59
Нацбанк Украины положил себе в карман большую дырку – и радуется!
20:58
Перед переговорами в Астане непримиримые в Сирии поднимают ставки
20:56
Ядерная угроза по-украински: кто будет достраивать Хмельницкую АЭС вместо России
20:55
Путина просят разобраться с коррупцией в Мексике
20:54
Россия разрешила Украине провести инспекцию в Ростовской области
20:53
Захарченко отдал приказ глушить «Украинское радио» в ДНР
20:52
Госпитальное судно ТОФ «Иртыш» оснастили современными диагностическими комплексами
20:51
Есть такая профессия – Украину продавать
20:49
Украинская мечта о глобальной халяве
20:48
Что думают немцы об американских танках в Европе?
20:45
Российское посольство в Великобритании прокомментировало «утку» о Трампе
20:43
Глава концерна «Калашников» держит в секрете новые разработки
20:39
Маразм крепчал, или На Украине опять чудят
20:36
40 сфер лидерства России
20:32
Трамп готов снять санкции с России на своих условиях
20:31
Российские хоккеистки исполнили гимн страны в аэропорту Домодедово
20:29
Немецкое телевидение показало, как Польша встретила военных США
19:57
Хмеймим сохранит мощную систему обороны с моря и воздуха
19:55
Вести недели с Дмитрием Киселевым от 15.01.17
12:30
Почему американские войска идут на Россию, и зачем это нужно Польше?
10:36
Падение Гривны в бездонную яму
10:36
Проклятие Восточной Европы
Все новости

Архив публикаций

«    Январь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031 
» » Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура

Структура FeFET транзистора


В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время. Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

"Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов - сегнетоэлектрического затвора этого транзистора" - рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, - "Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора - полупроводникового канала из германия".

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

Проверка структуры материала затвора


Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из "более быстрых" полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

"Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти" - рассказывает Александр Демков, - "К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий".

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти. На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх