Лента новостей

12:34
В Иране отпраздновали 46-ю годовщину Исламской революции
12:20
Конклав, часть четвертая
12:07
Вскапывая огород, вы ступаете по… вечности? Сколько лет почве на самом деле?
11:50
Зеленский согласился вернуть США редкоземельными металлами 500 млрд долларов — Трамп
11:49
Вучич исключил «кровавую революцию» в Сербии
11:48
CNN: Путин и Трамп могут исключить Зеленского из переговорного процесса
11:47
Психологи и священники - потенциальные шпионы. СБУ Украины взяла новую высоту
11:06
США учтут мнения ЕС при составлении плана по Украине
10:58
Трамп рассказал о «танго вдвоем» и о прогрессе в вопросе урегулирования украинского кризиса
10:57
Харьковская область частично обесточена, Полтавская — без газоснабжения после ракетной атаки
10:56
Трамп: Украина может стать Россией в «какой-то день»
10:55
Политолог заявил о блефе Украины с редкоземельными металлами
10:48
Трамп допустил, что Украина когда-то станет Россией
10:36
Киев может обзавестись ядерным оружием - Новости
10:32
Войска ВСУ в окружении: началась решающая битва за Суджу
10:26
При помощи бомб с УМПК: экипаж истребителя Су-34 разбил позиции ВСУ в курском приграничье
10:19
Жить как Ихтиандр: Deep строит подводные поселения для людей. Уже скоро?
10:02
Украинские переселенцы бегут из Польши в Германию
10:01
Коммунальные тарифы на Украине за год выросли почти 20%
10:00
Россия стала страной с самой низкой безработицей в странах «Большой двадцатки»
09:50
СВО. Донбасс. Оперативная лента за 11.02.2025
09:37
Наступление в Курской области: ВС РФ перехватывают инициативу, свежая сводка от 11 февраля
09:15
США и Израиль делят сектор Газа
09:11
«Вы обесцениваете весь опыт»: соавтор Diablo объяснил, в чём главная проблема современных ARPG
09:03
За диалог между цивилизациями и за культуру мира
08:49
Прибалтика решила добить Евросоюз
08:41
Экологично и доступно: российские учёные нашли способ безопасной транспортировки водорода
08:39
«Су-57 его затмит»: маршал ВВС Индии сравнил российский истребитель с американским F-35A
07:45
Превращение в Меркурий и апокалипсис: что произойдет, если Земля внезапно остановится
07:08
Юрий Подоляка: обзор ситуации в зоне СВО на 11 февраля 2025 года, карты боевых действий
05:49
Средняя продолжительность жизни в мире выросла более чем в два раза с 1900 года
03:39
Средства ПВО китайского флота: зенитная артиллерия среднего и крупного калибра
03:29
«Виват, наша августейшая государыня императрица Екатерина!»
03:07
Российские войска громят ВСУ: новости СВО от 11 февраля 2025. Карта боёв на Украине сегодня, обстановка в Курской области, военная сводка, 1083-й день спецоперации России на Украине
02:36
Россиян предупредили об угрозах при покупке жилья
01:47
Два геноцида по цене одного, или «Польша – это Украина»
01:00
В Британии правительственный скандал — министр здравоохранения желал смерти пенсионерам и шутил про негров и евреев
00:57
Крынки: типично британская военная катастрофа
00:13
Страсти по Арктике: богатства и перспективы
23:55
Новости фронта из США - ВМС США разработали секретную систему NEMESIS
23:53
Расчет ударного дрона ВС РФ уничтожил БМП противника в Харьковской области.
23:39
Почему запретили ядерные испытания в космосе: история Starfish Prime
22:41
Трамп исключил возвращение палестинцев в сектор Газа
22:40
Орбан: на деньги США левые свергали правительства
22:35
Gigabyte укомплектовала некоторые GeForce RTX 5080 и RTX 5090 «лишним» вентилятором
Все новости

Архив публикаций



Мировое обозрение»Технологии»Samsung приступит к производству 300-слойных чипов флеш-памяти в следующем году

Samsung приступит к производству 300-слойных чипов флеш-памяти в следующем году


Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.



Опубликовано: Мировое обозрение     Источник

Читайте нас:





Напишите ваш комментарий к статье:

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.

Новости партнеров

Наверх