Samsung приступит к производству 300-слойных чипов флеш-памяти в следующем году

Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics готовится к массовому выпуску трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения уже в следующем году. Это позволит компании создать одни из самых плотных и доступных накопителей на рынке, одновременно вступая в новую фазу технологической гонки с прямым конкурентом — SK hynix. В отличие от оппонента, Samsung делает ставку на проверенную архитектуру двойного стека, что может дать ей преимущество в себестоимости, но ставит под вопрос сложность масштабирования в будущем.

Архитектура двойного стека: ставка на эффективность

Чипы 3D V-NAND 9-го поколения будут насчитывать более 300 слоёв. Для их производства Samsung использует метод двойного стекирования, впервые опробованный в 2020 году при выпуске 176-слойных микросхем 7-го поколения. Технология предполагает формирование одного набора слоёв на 300-миллиметровой кремниевой пластине, после чего поверх него наращивается второй стек. Такой подход позволяет оптимизировать производственный процесс и снизить издержки.

Применение подобных решений открывает путь к созданию недорогих твердотельных накопителей (SSD) высокой ёмкости. Производители смогут либо выпускать принципиально новые бюджетные модели, либо значительно удешевлять уже существующие линейки за счёт повышения плотности записи на кристалл.

Технологический паритет: два стека против трёх

Принципиально иной путь выбрала SK hynix. Компания анонсировала старт массового производства 321-слойной 3D NAND в первой половине 2025 года, используя архитектуру тройного стека. Этот метод подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. Хотя такой процесс требует большего количества технологических шагов и расходных материалов, он позволяет повысить процент выхода годных чипов. Производить стеки с меньшим количеством слоёв технологически проще, что снижает риск брака на сложных этапах литографии.

Таким образом, на рынке наблюдается классическое противостояние: Samsung делает упор на скорость и себестоимость, а SK hynix — на надёжность и масштабируемость процесса на ранних этапах.

Взгляд в будущее: 400 слоёв и гонка за 1000

Согласно утечкам из дорожных карт Samsung, после освоения 9-го поколения компания может перейти на архитектуру тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 10-го поколения. Эксперты, опрошенные южнокорейскими деловыми изданиями, сходятся во мнении, что преодоление отметки в 400 слоёв потребует отказа от двойного стекирования. Основная причина — резкое падение процента выхода годных изделий при попытке нарастить слишком высокий массив слоёв за два цикла.

Переход на тройной стек неизбежно приведёт к удорожанию производства в расчёте на одну пластину из-за увеличения объёмов используемого сырья и энергии. Однако это необходимая жертва для достижения амбициозных целей.

Ещё в 2022 году Samsung официально заявила о планах выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году. Нынешний шаг с 9-м поколением — лишь промежуточный этап на пути к этой цели.

Ранее основным драйвером наращивания слоёв в 3D NAND была борьба за плотность хранения данных в мобильных устройствах и дата-центрах. Сейчас, когда рынок насыщается, ключевым фактором становится экономическая эффективность. Победа в гонке будет не за тем, кто первым покажет 1000 слоёв, а за тем, кто сможет производить их с приемлемой себестоимостью и низким процентом брака.