Kioxia и WD представили 218-слойную 3D NAND и утверждают, что это самая плотная флеш-память в мире

Компании Kioxia и Western Digital анонсировали микросхемы флеш-памяти 3D NAND с 218 слоями ёмкостью 1 Тбит. Чипы будут выпускаться как на трёхбитовых ячейках (TLC), так и на четырёхбитовых (QLC). По словам разработчиков, чипы имеют самую высокую в отрасли битовую плотность. Образцы новинок уже поступили ограниченному кругу клиентов компаний для изучения. Новая память попадёт в смартфоны, интернет-устройства и SSD.

Источник изображения: Kioxia

Новая память относится к восьмому поколению BiCS FLASH Kioxia и Western Digital. Девятое поколение откроют микросхемы с более чем 300 слоями. Партнёры используют «склейку» кристаллов для увеличения количества слоёв. Более того, в случае новинок, как можно сделать вывод из контекста пресс-релиза, массив ячеек и контроллер изготавливаются отдельно и тоже собираются в вертикальный стек в процессе «склейки».

Ранее Kioxia и Western Digital изготавливала контроллеры в составе массивов ячеек. Первой изготавливать управляющую микросхему отдельно начала китайская компания YMTC в виде технологии Xtacking. В случае 218-слойной памяти BiCS FLASH Kioxia и Western Digital речь идёт о «новаторской технологии» CBA (CMOS directly Bonded to Array), в которой контроллеры и массивы ячеек выпускаются на отдельных пластинах с оптимизацией каждого процесса, и совмещаются только после полной обработки (либо кристаллы контроллеров и массивов совмещаются уже после порезки). В официальном документе этот момент не прояснён.

Массив ячеек по-прежнему используется «четырёхплановый» — из четырёх отдельных плоскостей массивов, что позволяет ускорить работу памяти за счёт параллелизма. Также при производстве 218-слойных сборок массивы были «ужаты» по вертикали и горизонтали. Именно это (точнее — боковая усадка ячеек) позволило увеличить плотность битов на 50 %. Дополнительно увеличена производительность работы памяти — на 60 % по сравнению с предыдущим поколением чипов. Это означает, что скорость работы по каждому контакту шины данных выросла до 3,2 Гбит/с.

Скорость записи также стала выше — на 20 % или около того. Также снизились задержки чтения, что тоже окажет положительное воздействие на производительность новых чипов 3D NAND Kioxia и Western Digital. В целом эта память станет новой ступенькой к более производительным устройствам и приложениям, ожидать которые можно к концу текущего года.