Kioxia и WD представили 218-слойную 3D NAND и утверждают, что это самая плотная флеш-память в мире
Индустрия хранения данных сделала значительный шаг вперёд: совместное предприятие Kioxia и Western Digital представило флеш-память восьмого поколения с рекордной на сегодняшний день плотностью. Новые 218-слойные чипы 3D NAND ёмкостью 1 Тбит обещают не только увеличить объёмы накопителей, но и кардинально повысить их скорость работы, что ускорит внедрение технологий следующего поколения в потребительской электронике и центрах обработки данных.
Рекордная плотность и производительность: что скрывает новая архитектура
Ключевым достижением разработки стала битовая плотность, увеличенная на 50% по сравнению с предыдущим поколением. Такого скачка удалось достичь за счёт радикального уменьшения размеров ячеек как по вертикали, так и по горизонтали, без потери надёжности. Параллельно инженеры значительно переработали внутреннюю архитектуру чипа.
Инновационная сборка CBA и четырёхплановый массив
Технологический прорыв заключается в переходе на метод CBA (CMOS directly Bonded to Array). В отличие от традиционного подхода, где управляющая логика (CMOS) формируется под или вокруг массива ячеек памяти, теперь эти компоненты производятся на отдельных кремниевых пластинах. Это позволяет оптимизировать каждый процесс независимо, а затем соединить готовые кристаллы в вертикальный стек. Результат — более совершенные и производительные схемы контроллера и массива памяти.
Для повышения быстродействия сохранена четырёхплановая структура массива ячеек. Она обеспечивает высокий уровень параллелизма операций, что критически важно для скоростной записи и чтения данных. Именно эта архитектура в сочетании с новой сборкой дала прирост производительности на 60%, подняв скорость интерфейса до 3.2 Гбит/с на линию.
Практические преимущества для конечных устройств
Улучшения на уровне микросхем напрямую трансформируются в пользовательский опыт. Скорость записи в новых чипах выросла примерно на 20%, а задержки при чтении — снизились. Это означает, что будущие твердотельные накопители на этой памяти смогут быстрее загружать операционные системы, запускать тяжёлые приложения и копировать большие файлы. Снижение задержек также благоприятно скажется на работе баз данных и систем с интенсивной случайной нагрузкой.
Новая память будет производиться в вариантах как с трёхбитовыми (TLC), так и с четырёхбитовыми (QLC) ячейками, что позволит производителям гибко балансировать между стоимостью, ёмкостью и долговолетием накопителей. Основными сферами применения станут флагманские смартфоны, клиентские и корпоративные SSD, а также устройства для интернета вещей.
Этот анонс знаменует собой важный этап в конкурентной гонке производителей памяти. Переход к раздельному изготовлению массива ячеек и контроллера, ранее успешно опробованный другими игроками рынка, теперь взят на вооружение лидерами отрасли. Такая технология становится новым стандартом, позволяющим преодолевать физические ограничения миниатюризации и продолжать закон Мура для флеш-памяти. Уже сейчас партнёры ведут разработку чипов девятого поколения с количеством слоёв, превышающим 300, что указывает на ускорение технологического цикла.
Появление таких чипов на массовом рынке, ожидаемое к концу года, может дать импульс для нового витка развития высокопроизводительных вычислений. Более быстрые и ёмкие накопители снизят «узкие места» в системах хранения, повысят энергоэффективность дата-центров и откроют возможности для более требовательных приложений в области искусственного интеллекта и анализа больших данных. Для потребителей это обернётся увеличением стандартных объёмов памяти в устройствах без существенного роста цены.
