Лента новостей

03:23
Пушков: Молдавии придется самой выпутываться из устроенного Кишиневом газового кризиса
03:22
Волошин: США может выдвинуть ультиматум России после размещения ракет на Украине
03:21
В Госдепе заявили, что знают о намерении Турции выслать американского посла
03:10
Ответ "беспокойным соседям": в Таджикистане состоялось учение ОДКБ
02:45
Емельяненко всего за две минуты нокаутировал американца Джонсона (видео)
02:44
Финляндию смутили риски строительства российско-финской АЭС
02:39
Завершающий этап совместных учений «Взаимодействие 2021»
02:37
Хайнань в январе - сентябре 2021 года вел торговлю со 179 странами и регионами мира
02:35
Наблюдатели от ЦИК РФ отметили внедрение инноваций на выборах президента Узбекистана
02:17
Економiчна правда (Украина): выгодное соседство
02:10
Госдеп США пополнил список «бездомных наций» россиянами
02:09
Популярность Байдена среди американцев упала до рекордных 44,7 процента
01:58
Три даты рождения Красной армии: почему выбрали 23 февраля
01:52
Историографы рассказали о легендарной партизанке Надежде Троян
01:45
Yahoo News Japan (Япония): узнай перед тем, как выбросить! Как извлечь максимум пользы из питательной косточки авокадо
01:44
Zbruč (Украина): маленький Вавилон
01:43
Апостроф (Украина): газа и угля Украине на зиму не хватает, придется идти на поклон
01:42
Москва: тихий бастион холодной войны (Duvar,Турция)
01:41
CNN (США): как Запад создал самую опасную версию Путина
01:38
Рейтинг Байдена за девять месяцев упал сильнее, чем у других лидеров США с 1945 года
01:37
Госдеп США: граждане Российской Федерации смогут получить американскую визу в Варшаве
01:26
Ответ "беспокойным соседям": в Таджикистане состоялось учение ОДКБ
01:14
Обойдутся ли поляки без денег Евросоюза?
01:03
Российско-китайский союз: как сохранить стратегическое единодушие?
01:02
Путин подал заявку на мировое идеологическое лидерство
00:56
Второй раз с начала октября Tesla Model 3 и Model Y подорожали на $2000
00:55
Глава Intel убеждён, что процессоры Alder Lake помогут компании увеличить долю рынка
00:51
Главы проектных офисов по Трансафганской железной дороге соберутся в Ташкенте в ноябре
00:34
Между западным молотом и российской наковальней
00:26
Военные НАТО начали эксплуатировать третью авиабазу в Прибалтике
00:24
Тэрада и Мельников обсудили пенитенциарную систему США в программе «Грани свободы»
00:23
Захарова осудила очередной «цирковой номер» СНБО Украины против Крыма
00:18
Ученые из Сан-Диего: бактерии в слюне кошек могут побороть стафилококк
23:58
Невеста Ассанжа Морис: его экстрадиция непостижима после разоблачений ЦРУ
23:57
МИД Турции пока не объявлял персонами нон грата послов десяти стран
23:56
В эквадорской тюрьме обнаружили тела семи заключенных
23:55
МИД Германии принял к сведению слова Эрдогана об объявлении послов персонами нон грата
23:44
Ответ "беспокойным соседям": в Таджикистане состоялось учение ОДКБ
23:17
Реальные фото и видео с новыми MacBook Pro появились в Сети
23:14
Учение авиации Западного военного округа
23:13
На базе 12 ГУМО завершился фестиваль « С чего начинается Родина»
23:11
Узбекистан и Россия намерены провести на следующей неделе заседание межправкомиссии
23:10
В Узбекистане сообщили, что первый Агроэкспресс отправится из Ташкента в Москву в ноябре
23:08
В Лобне назначили временно исполняющего полномочия главы
22:57
В Калифорнии учительницу отстранили из-за «индейского танца» перед учениками
Все новости

Архив публикаций



Мировое обозрение»Технологии»Флэшристоры - устройства, унаследовавшие лучшие черты мемристоров и флэш-памяти

Флэшристоры - устройства, унаследовавшие лучшие черты мемристоров и флэш-памяти


На страницах нашего сайта мы достаточно часто рассказывали о мемристорах, электронных устройствах, состоящих из проводника из специального материала, который в виде его электрического сопротивления запоминает значение протекавшего по нему электрического тока. Эти приборы считаются кандидатами на использование в качестве ячеек высокоскоростной энергонезависимой памяти следующего поколения, способной хранить в одной ячейке более одного бита данных. Однако, на самом деле с мемристорами не все обстоит так гладко, как внушают нам многочисленные пресс-релизы.

Если бы с мемристорами все было в полном порядке, как утверждают ученые из некоторых организаций, то на рынке энергонезависимой памяти уже давно появились бы запоминающие устройства на их основе. Однако этому препятствует то, что существующие сейчас мемристоры имеют весьма ограниченный ресурс, максимальное количество раз, которые мемристор может изменить свое состояние, не потеряв своих электрических характеристик.

Группа исследователей из университета Бингеля (Bingol University) и университета Билкент (Bilkent University), Турция, разработали новый электронный прибор, который получил название флэшристор, который унаследовал все лучшие черты как мемристоров, так и ячеек флэш-памяти. В отличие от существующих устройств, мемристорный эффект (изменение кристаллической структуры на уровне атомов) в новом устройстве реализован не на локальном уровне, а рассредоточен в более крупной области пространства материала. "Благодаря этому мы можем управлять состоянием мемристора с высокой точностью, одновременно увеличив ресурс прибора во много раз".

Исследовательская группа, которая разработала новый прибор, в течение достаточно долгого времени работала над исследованиями ячеек флэш-памяти различных типов. И недавно ученые обнаружили, что полевой транзистор, на основе которых построены ячейки памяти, в некоторых режимах может вести себя подобно мемристору. Для этого достаточно лишь немного изменить структуру затвора транзистора, который становится чем-то вроде "плавающей" ловушки для электронов, и количество электронов, пойманных в этой ловушке, будут определять значение тока, текущего от истока к стоку, т.е. определять полное электрическое сопротивление канала транзистора.

Этот "плавающий" затвор обладает несколькими свойствами, в его структуре электроны могут храниться достаточно длительное время. Он хорошо изолирован от остальной структуры транзистора и отнесен от других элементов на относительно большое расстояние, что исключает самостоятельную утечку хранимых электронов за счет эффекта квантового туннелирования. К этому затвору проложен "путь" по которому электроны легко достигают его структуры. И в результате попыток соблюдения всех свойств и требований у ученых получился флэшристор, имеющий структуру, весьма подобную структуре ячеек тонкопленочной флэш-памяти.

Канал флэшристора состоит из слоя из оксида цинка, связанного с истоком и стоком алюминиевыми контактами. Туннельный барьер, толщиной 15 нанометров, изготовлен из окиси гафния, и этот барьер позволяет электронам переходить в одну сторону, от канала транзистора к плавающему затвору, представляющему собой слой нитрида кремния, толщиной 5 нанометров. Этот плавающий затвор отделен от основания из p-кремния, которое действует как традиционный затвор, изолирующим слоем окиси алюминия.

Структура нового устройства отличается от структуры ячейки флэш-памяти, у которой источник питания связан с основным затвором. Такая развязка определяет то, что когда импульс отрицательного напряжения прикладывается к стоку, возникающее электрическое поле заставляет электроны переходить через туннельный барьер из канала транзистора на плавающий затвор, где они остаются пойманными в ловушку. Когда импульс прекращается, количество заключенных в плавающем затворе электронов пропорционально параметрам приложенного импульса тока, и это количество определяет значение сопротивления канала. Сопротивление канала измеряется при помощи импульса слабого тока, напряжением 0.1 Вольта, которое слишком низко для того, чтобы воздействовать на электроны, находящиеся в ловушке плавающего затвора. Запомненное значение стирается или переписывается при помощи импульса напряжения обратной полярности, который дает электронам энергию, достаточную для того, чтобы вырваться из ловушки и возвратиться в канал через туннельный барьер.

Исследователи изготовили опытные образцы флэшристоров, которые с самого начала были способны находиться в четырех разных состояниях. Помимо этого, из-за отсутствия структурных изменений во время переключения состояния флэшристора, его надежность и воспроизводимость результатов намного превышают показатели обычных мемристоров. И, при соблюдении определенных требований к технологии производства, каждый флэшристор сможет находиться в 10 различных состояниях, т.е. хранить неполные четыре бита информации.

К сожалению, время записи и стирания информации в флэшристор пока являются слишком длинными, выполнение этих процессов занимает одну секунду времени. Но ученые пока и не стремились обеспечить высоких скоростей, их работа является пока еще только демонстрацией работоспособности нового принципа.

Первоисточник


Опубликовано: legioner     Источник

Подпишись:





Напишите ваш комментарий к статье:

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.

Новости партнеров

Наверх