Лента новостей

22:07
Ядерная война неизбежна. Такое развитие событий не исключают и в Москве
22:04
Неравный брак Путина может стоить ему миллионов голосов на выборах
22:03
Лукашенко примирит Донбасс с Украиной
22:01
Каждый пытается оторвать от нее кусочек
22:00
Владимир Корнилов: Запад не видит проблемы с RT, но возмущен ответом Москвы
21:53
Гройсман и правительство превращают Украину в «банановую республику»
21:51
"По Парижам шлялась, ребёнка не взяла : точно заброшенный..."
21:49
Источник в МОУ считает «необоснованным» выделение 1,4 млрд. грн на боеприпасное производство
21:46
На радость педофилам и мигрантам
21:44
В Украине предложили отменить отчества, чтоб быть ближе к Европе
21:43
Марина Порошенко обворовала Сороса, спекулируя на детях-инвалидах
21:42
«Меня не надо защищать от Путина»: бойца АТО очередной раз унизили в Киеве
21:37
Как раздуть военный конфликт из ничего? Самоучитель по провокациям от США
21:35
Новый скандал в сфере секс-индустрии
21:31
Украина перебрасывает боевую авиацию к границе с Польшей
21:19
Америка создаст свою "Сатану"
21:15
Новости проекта подлодки 5-го поколения "Хаски"
21:10
Конструкторы заявили о завершении проектирования нового Ту-22М3М
21:09
Армейский спецназ оседлает боевых «Медведей»
20:02
Укрощение строптивой России
19:58
Украину лишат «безвиза» за коррупцию
19:54
Cumhuriyet: Гаранты встретятся в Сочи
14:54
KREMLIN загоняет Путина в изоляцию
14:52
Handelsblatt: Западу придется договариваться с Путиным
14:35
Севастополь: Станет ли российское будущее лучше украинского прошлого
14:31
Космические планы Китая на следующие 30 лет
13:58
Генерала ФСО Лопырева приговорили к десяти годам колонии строгого режима
13:43
На Украине двое мужчин изнасиловали молодого полицейского
13:42
Российские учёные создали первый "молодильный" крем для кожи
13:37
Русская дешёвка, которая изменит мир
13:34
Эрдоган обвинил США в финансовой поддержке ИГ*
13:33
Ученые подсчитали мощность компьютера размером с Вселенную
13:30
Отставка Геращенко: очень токсичный «Пупсик»
10:58
Более половины танков Leopard 2 немецкой армии не готовы к эксплуатации
10:54
Белоруссия ратифицировала договор о Таможенном кодексе ЕврАзЭС
10:40
Т-90 и "Абрамс" столкнулись на полях Индии
10:37
США объявили охоту на Путина: В Конгрессе анонсировали операцию KREMLIN
10:37
Психология массовой русофобии
10:36
Украина! Прекрати заниматься ерундой!
10:35
Сирийский опыт продлит жизнь «Гвоздик»
10:35
Российский флот получит суперракетницу
10:34
«Убийцы авианосцев» Ту-22м3 превратят в многофункциональные ударные супер машины
10:02
Террористическое государство под названием Украина: В прямом эфире нацисты призвали устроить взрывы в России и Белорусии
10:00
Ещё раз. Ленин захоронен и по закону, и по канону
09:57
Страсти по биткойну: Стоит ли всерьёз вкладываться в криптовалюты?
Все новости

Архив публикаций

«    Ноябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930 


» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти


Группа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.

Изменения кристаллической решетки


Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов работает за счет перехода материала активного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и наоборот под воздействием электрического тока с определенными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление активного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия (Ge) на небольшое расстояние. Идея создания памяти подобного типа была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обычной CMOS-технологии были созданы первые образцы TRAM-памяти, которая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с другими типами памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2


Используя первый опытный образец TRAM-памяти, и проведя анализ структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить ряд их характеристик по сравнению с первыми образцами. Ключом этих изменений стала новая структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, которая требует незначительного количества энергии для перемещения этих атомов. Такой подход позволил снизить рабочее напряжение до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и рабочий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти предыдущего поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено значение тока стирания и записи, что позволило существенно поднять скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти


Более того, исследователи изготовили несколько различных вариантов ячеек TRAM-памяти, используя наборы материалов, имеющих разные показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее напряжение этих ячеек практически не зависит от используемых материалов, в отличие от других типов памяти на фазовых переходах, рабочее напряжение которых сильно зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередь в информационных центрах большого масштаба. Этому максимально будет способствовать то, что скорость работы TRAM-памяти почти в 100 раз превышает скорость работы самых лучших образцов современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обычной flash-памяти.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх