Лента новостей

00:30
Майдан без Нуланд — деньги на ветер
00:28
Предсказуемая Эстония
00:28
Украинские политики заговорили о приближающемся крахе и Гаагском трибунале
00:25
Как устроен секретный лазерный танк СССР
00:24
На переворот в России США выделили $18 млрд
00:23
Названы варианты болезненного ответа России на санкции США
00:00
Этот день в истории - 19 Октября
16:15
«Игры с огнем Порошенко»: на Украине начались разговоры о досрочных выборах президента
16:14
Украинская армия готовится к зиме: бойцы столкнулись с проблемами
16:12
Дональд Трамп – марионетка в руках Израиля или Путина?
16:11
В регионах запустят пилотные проекты использования технологии блокчейн
16:10
Сирия предложила «РЖД» восстановить сообщение с фосфатными месторождениями Пальмиры
16:09
«Нас окружают!» Силовики попытались зачистить ночью «Михо-майдан»
16:09
Саакашвили делает всё то же самое, что делали Ющенко, Тимошенко и Яценюк – разваливает Украину
16:08
«Путин, купи пиво!» Украина хочет увеличить торговый оборот с оккупантом
16:07
Советник Авакова рассказал, как Луценко форсировал пустой бассейн на свадьбе своего сына
16:07
Спецоперация «спасти Козла»: к имению гаранта выдвинулись военные и бронетехника
16:06
Это еще не все!: Поклонская объяснила Генпрокурору РФ, почему «Матильду» надо снять с проката
16:04
Россия развивает производство крупнейших в мире авиационных теплообменников
16:02
Жириновский предложил отменить новогодние праздники
16:00
Израиль гонит украинских беженцев
15:59
МВФ: плана спасения Украины не существует
15:59
«Аллигатор»: ударный вертолет Ка-52 за 60 секунд
15:58
Как развиваются события у Верховной рады в Киеве
15:55
Новый Майдан: Порошенко спрятался
15:54
МиГ-35: «Соколу» снова указали место
15:43
Разбираем новый «Абрамс»: содрогнется ли «Армата»?
15:43
От Путина на «Валдае» ждут проамериканского разворота
13:13
Литва беднеет, но вооружается
12:39
В партии Порошенко обвинили Саакашвили в стремлении захватить власть
11:59
Израильский исход украинцев. И опять «А нас за шо?»
11:58
Война на Корейском полуострове начнется 19 октября?
11:58
Сирия наносит ответный удар
11:56
Украинский «политолог» Ковтун угрожает журналистке за ее «Дневник киевлянки»
11:55
Страшная месть Путина
11:55
Состояние американской армии давно не было таким плачевным
11:54
Апперкот: Китай запускает новый платежный механизм - юань-рубль
11:53
США терпят фиаско: Коалиция второй раз освободила Ракку и только на 90%
11:50
На Украину идёт языковая полиция
11:49
МВФ разбил последние надежды Украины
11:42
В Подмосковье пройдет масштабная конференция, посвященная проблемам развития малого и среднего бизнеса
11:14
Украинские школы начали отказываться от изучения русского языка
11:13
Это вам не Янык…
11:12
Майдан-3: жабы против гадюк
11:11
Почему Молдовой правят политики с рейтингами менее 1 %?
Все новости

Архив публикаций

«    Октябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031 


» » Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Новый тип "нанопористой" резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле, размером с почтовую марку

Структура ячейки RRAM памяти

Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая Джеймсом Туром (James Tour), занимаются проблемой RRAM-памяти с 2010 года. В качестве основного диэлектрического материала исследователи используют диоксид кремния (SiO2), и недавно им удалось совершить прорыв, разработав технологию формирования в слое диоксида кремния множества нанопор, токопроводящих нитей, которые выступают в роли отдельных ячеек RRAM-памяти из которых можно сформировать высокоплотный массив памяти.

"Наша технология является одной из немногих технологий, полностью удовлетворяющих каждому из требований широкомасштабного производства энергонезависимой памяти следующего поколения" - рассказывает Джеймс Тур, - "Процесс производства протекает при комнатной температуре, ячейки памяти имеют весьма низкое напряжение переключения и высокое соотношение значений сопротивления в различных состояниях. Ячейки не требуют расхода энергии при хранении информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку, обладают высокой надежностью и обеспечивают высокую скорость записи и чтения информации".

Массив ячеек памяти


Ключевым моментом разработанной исследователями технологии является процесс изготовления тонкой пластины из пористого диоксида кремния, но не просто пористого, а имеющего упорядоченную структуру из этих пор. Имея в распоряжении такой материал, остается только нанести на его поверхность сетку из электродов, что делается достаточно просто, и такой подход позволяет избежать того, что так не любят делать все производители чипов - создавать вокруг границ массива ячеек памяти сложные схемы электронного управления.

На всем вышеперечисленном преимущества использования нанопористого диоксида кремния не заканчиваются. Ячейки памяти на основе нанопор выдерживают в 100 раз большее количество циклов записи-стирания, нежели ячейки памяти предыдущего варианта. Кроме этого, в каждой ячейке может храниться до девяти бит информации, что является самым большим показателем по отношению к другим типам памяти, включая и RRAM-память.

В настоящее время исследовательская группа работает над совершенствованием разработанной ими технологии в направлении ее ориентации на условия массового производства. Тем временем ведутся мероприятии по патентованию и разрабатывается план лицензирования технологии для компаний, занимающихся выпуском микросхем памяти, некоторые из которых уже проявили интерес к новому типу RRAM-памяти, разработанному исследователями из университета Райс.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх