Лента новостей

17:25
Зрада: как Украина демонтирует государство и продаёт Крым
17:22
Огни на Эйфелевой башне погасли в память о жертвах теракта в Египте
17:22
27 мая 1883 года Александр III венчан на царство
14:27
Привет, немытая Россия!
14:25
Хлеб, которым нас убивают
14:24
Зачем американцам Сибирь
14:23
Как можно все извратить: русские расколошматили прекрасный лагерь отдыха Освенцим
14:22
Порошенко присвоил звание Героя Украины Михаилу Зурабову
14:22
Аграрная сверхдержава все ближе: по статистике уже каждый шестой украинец работает в поле задом кверху
14:21
Путин не дает покоя Америке - ни как глава государства, ни... как мужчина!
14:20
Российский Т-50 сможет уничтожить все, что способно летать
14:19
Чем запомнился политолог Збигнев Бжезинский
14:18
В Сирии испытано более 200 образцов российского оружия
14:17
Галичане плюют на патриотизм и валят на ударные стройки России
14:16
ВКС РФ уничтожили одного из главарей ИГИЛ, чеченца Абу Аюба аш-Шишани
14:16
Армия Сирии сбила ударный БПЛА Израиля, убивший трех военных
14:15
Как Додон проник в Кремль?
14:14
Самонаводящаяся ракета Сазан-1
14:13
Что позволено зятю и дочери Трампа, то не позволено Христу
14:11
Кохановский намекнул, что супругов Порошенко ждет участь семьи Чаушеску
14:10
Наше все: Украина защитила «Рошен» от российских конкурентов
14:10
Александр Новак собирается обсудить с вице-президентом ЕК поставки газа на Украину
14:09
Американские хозяева в посольстве США отказались защищать украинских холуев
14:08
Борьба с «унизительным параличом»: НАТО изменит устав и увеличит бюджет
14:08
Крутое пике сбитого лётчика: путь от Стрелкова к Гиркину
14:06
Американцы испугались грозных J-10, выполнявших «опасный перехват»
14:05
Отплываем: первый в России «Штандарт» покоряет морские просторы
13:54
«Это разрушительный удар по союзникам США в НАТО»
13:53
Трамп от имени американского народа поздравил мусульман с Рамаданом
13:52
Эдуард Лимонов: Российские туристы никогда больше не вернутся в Египет
13:51
Многоцелевой танк Т-14 на гусеничной платформе «Армата»
13:49
Допотопный Урал: Шигирский идол
13:46
Выплата долга России грозит Украине тяжёлыми последствиями
13:45
Россия требует от Украины немедленно выплатить долг по евробондам
13:42
Российское «Резюме»: сирийцы достали самый мощный в мире выстрел к РПГ
13:41
Пять разведчиков — уже много: подробности операции «Стингер» в Афганистане
13:38
Олигарх Дерипаска был готов подтвердить связи Трампа с Россией
13:36
СМИ узнали о масштабной операции российских ССО на юге Сирии
13:36
Адмирал Кузнецов остался без причала
00:05
Этот день в истории - 27 Мая
16:24
Марш в европейское будущее
16:23
Доктор Комаровский: Каждый третий украинец умрет от рака из-за «реформ» в Минздраве
16:23
«Панда» отдыхает: после Революции достоинства с госпредприятий Украины было украдено около 80 млрд гривен
16:22
«Свобода» запретила в Черновцах оппозиционеров и коммунистов
16:19
Данальда Трампа призывают открыть Врата Ада!
Все новости

Архив публикаций

«    Май 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031 
» » Обнаружен материал, толщиной в три атома, становящийся то проводником, то изолятором при механическом растяжении

Обнаружен материал, толщиной в три атома, становящийся то проводником, то изолятором при механическом растяжении

Трехатомный материал

Для того, чтобы соблюсти выполнение закона Гордона Мура, инженеры постоянно стараются уменьшить габариты компонентов, из которых состоят кристаллы чипов. Основным таким компонентом является полевой транзистор, состоящий из канала и управляющего затвора, который отделяется от структуры канала тонким слоем изоляционного материала. Уменьшая размеры транзисторов, производители чипов столкнулись с тем, что при уменьшении толщины изоляционного слоя ниже 1 нанометра резко возрастает ток утечки транзистора, ток, текущий через канал, когда транзистор находится в закрытом состоянии. Решить эту проблему можно путем замены оксидного изолирующего слоя слоем другого материала, свойства которого позволят во много снизить токи утечки. И над поисками таких материалов работает группа исследователей из Стэнфордского университета, эксперименты которых привели к получению весьма необычных результатов.

Исследователи из Стэнфордского университета работали с математическими моделями двухмерных материалов, имеющих толщину всего в несколько атомов. Полученные расчетные данные показали, что существует ряд двухмерных материалов, которые могут переключиться из токопроводящего состояния в состояние электрического изолятора при растяжении этого материала. А если ученым удастся получить живые образцы такого материала и подтвердить его уникальные электрические характеристики, то этот материал может стать решением проблемы тока утечки, что, в свою очередь, позволит сделать транзисторы еще меньшими.

Исследуемый материал относится к классу так называемых переходных металлических дихалькогенидов, материалов, содержащих один из 15 металлов с одним из трех членов семейства халькогенов, серой, селеном или теллуром. В исследованиях ученые использовали один слой атомов молибдена, зажатый между двумя слоями теллура, а на приведенном ниже видеоролике можно увидеть процесс растяжения кристаллической решетки этого материала, влекущий за собой переключение его электрических свойств.

Созданная компьютерная модель демонстрируем массу привлекательных свойств нового материала. Однако, ученым еще неизвестно, смогут ли они получить реальные образцы такого материала. И даже если им удастся получить какие-то опытные образцы, это еще не означает, что используемая технология будет подходить для условий крупномасштабного производства. В случае самого плохого расклада, новый материал будет ожидать участь одноатомных транзисторов, опытные образцы которых были успешно созданы, но их производство в количестве миллионов и миллиардов единиц не представляется сейчас возможным.


 

Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх