Лента новостей

11:17
Волкер едет на Донбасс: Киев ультимативно отказывается от выполнения Минска-2
11:16
«Мова» для «быдла»
11:16
Сирийские войска вышли к южному берегу Евфрата
11:15
Бойня в Идлибе: «Аль-Каида» обретает огромное влияние, захватывая 30 городов и поселков, поглощая 15 исламистских банд
11:10
МИД ФРГ угрожает: турбины в Крым выводят немцев на чистую воду
02:16
Между США и Украиной ухудшились дипломатические отношения
02:13
«Мы их «Патриота» тоже не боимся»
02:04
Военные США бьют тревогу: Россию ждет прорыв в области искусственного интеллекта
02:02
Новости ЕС: в Германии борьба с экстремизмом, в России «подавление» свободы слова
02:01
Ан-124 «Руслан» уступит своё место «Слону»
02:00
Сара Хакаби Сандерс: «Я в настоящее время имею состояние благодати»
01:58
Документальный фильм: «Хакеры. Дымовая завеса»
12:02
Битва за Дейр эз-Зор: все или ничего
10:53
Не беси русского медведя
10:52
Русское оружие как инструмент политической борьбы
10:50
Почему Украина не Россия, а Порошенко не Путин
10:49
Штурм крепости ИГИЛ: Губительный огонь ВКС РФ и Армии Сирии деморализовал боевиков в Хаме
10:49
В Украине скоро могут закончиться патроны: военные эксперты оценили риски
10:48
ЕС рассмотрит введение санкций против Прибалтики и Украины за фашизм
10:47
Американский генерал признал, что США не имеют права находиться в Сирии
23:47
Немецкие СМИ недоумевают: какое отношение к делу медиа-холдингу «Вести» имеет военная прокуратура Украины?
23:46
«Крым не пройдет»: патриотичные «мытци» обещают расстрелять режиссера Пиманова, предложившего показать свой фильм украинским зрителям
23:45
ВСУ отступают после разгрома. Госдеп с патриотами заходятся в заунывном вое
23:44
«Правый сектор» требует запрета деятельности Freedom House на Украине
23:43
Тайна виртуальной «белочки» Петра Порошенко
23:42
Первые результаты расследования коррупции в Госкино Украины
23:40
ВКС РФ отправили в ад боевиков ИГИЛ, сожгли их базу и военную технику в сирийской Хаме
23:38
Бой под Красногоровкой: ВСУ могли быть разгромлены
23:10
Россия «уволит» миллионы американцев
23:02
Весь уголь в мире - российский
23:01
Госдума запретила анонимайзеры
22:57
Холопы просят войны
22:54
Путин зажёг «Сириус»: о чём спросили президента одарённые дети?
22:51
Поручения Путина заставили Порошенко заикаться
22:49
Майданщики вцепились в Лукашенко
14:12
Diena: Газовая дилемма между экономикой и геополитикой
14:03
Как всегда, ждут переворота в Москве
13:58
The Washington Post: Поразительная капитуляция Трампа перед Россией
13:54
Авианосец «Шторм» входит в штопор
13:51
Die Welt: Чего добиваются русские своими маневрами в воздухе?
11:28
Нехитрый план Путина для Украины
11:28
Из-за русских это потеряло смысл. На прекращение вооружения Америкой сирийской оппозиции
11:26
Реки крови в «раю исламистов»: Крупнейшие банды начали жестокую войну, отбивая друг у друга сирийские города
11:25
Ватутин продолжает пинать Шухевича
11:23
Новым продажам российских танков способствует операция в Сирии
Все новости

Архив публикаций

«    Июль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31 
» » Обнаружен материал, толщиной в три атома, становящийся то проводником, то изолятором при механическом растяжении

Обнаружен материал, толщиной в три атома, становящийся то проводником, то изолятором при механическом растяжении

Трехатомный материал

Для того, чтобы соблюсти выполнение закона Гордона Мура, инженеры постоянно стараются уменьшить габариты компонентов, из которых состоят кристаллы чипов. Основным таким компонентом является полевой транзистор, состоящий из канала и управляющего затвора, который отделяется от структуры канала тонким слоем изоляционного материала. Уменьшая размеры транзисторов, производители чипов столкнулись с тем, что при уменьшении толщины изоляционного слоя ниже 1 нанометра резко возрастает ток утечки транзистора, ток, текущий через канал, когда транзистор находится в закрытом состоянии. Решить эту проблему можно путем замены оксидного изолирующего слоя слоем другого материала, свойства которого позволят во много снизить токи утечки. И над поисками таких материалов работает группа исследователей из Стэнфордского университета, эксперименты которых привели к получению весьма необычных результатов.

Исследователи из Стэнфордского университета работали с математическими моделями двухмерных материалов, имеющих толщину всего в несколько атомов. Полученные расчетные данные показали, что существует ряд двухмерных материалов, которые могут переключиться из токопроводящего состояния в состояние электрического изолятора при растяжении этого материала. А если ученым удастся получить живые образцы такого материала и подтвердить его уникальные электрические характеристики, то этот материал может стать решением проблемы тока утечки, что, в свою очередь, позволит сделать транзисторы еще меньшими.

Исследуемый материал относится к классу так называемых переходных металлических дихалькогенидов, материалов, содержащих один из 15 металлов с одним из трех членов семейства халькогенов, серой, селеном или теллуром. В исследованиях ученые использовали один слой атомов молибдена, зажатый между двумя слоями теллура, а на приведенном ниже видеоролике можно увидеть процесс растяжения кристаллической решетки этого материала, влекущий за собой переключение его электрических свойств.

Созданная компьютерная модель демонстрируем массу привлекательных свойств нового материала. Однако, ученым еще неизвестно, смогут ли они получить реальные образцы такого материала. И даже если им удастся получить какие-то опытные образцы, это еще не означает, что используемая технология будет подходить для условий крупномасштабного производства. В случае самого плохого расклада, новый материал будет ожидать участь одноатомных транзисторов, опытные образцы которых были успешно созданы, но их производство в количестве миллионов и миллиардов единиц не представляется сейчас возможным.


 

Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх