Лента новостей

00:00
Этот день в истории - 26 Февраля
22:55
Я восхищаюсь Путиным
22:42
Русские ракеты снова на Кубе: Но обнаружить их американцы уже не способны
22:36
Тем временем, в Луганской Народной Республике с 1 марта сего года официальной валютой становится российский рубль
22:36
Армия ДНР приведена в полную боеготовность. От выстрелов дрожат стекла в центре Донецка
22:33
Морской спецназ получил бронежилеты-«амфибии»
22:33
Турецкая армия не пойдет на Ракку
22:32
Россию с севера закроют непроницаемым экраном
22:28
В России начали готовить специалистов для работы с ЗРК С-500
22:27
«Медведи» наведут «Прометеи»
22:27
Шойгу потребовал исключить слово «показной» из армейского лексикона
22:26
Трампу предлагают вывести ПРО на новый уровень
22:25
Поздно пить боржоми, когда почка отвалилась
16:54
Только для своих: журналисты CNN и The New York Times не попали на брифинг в Белом доме
16:53
Однажды в Одессе: По следам одного «похищения»
16:52
Из-за блокады Донбасса остановлены два блока Приднепровской ТЭС
16:52
Жадный кондитер смог «достать» всех
16:51
Шесть стран лишились права голоса на Генассамблее ООН из-за долга
16:31
Сборная России лидирует в медальном зачете на Всемирных военных играх
16:30
Агитпроп
16:28
Допинг-скандал: WADA признала бездоказательность своих обвинений
16:28
Данкверт прокомментировал претензии Минска
16:27
Мародёры из нацбатальонов грабят донецкую фильтровальную станцию
16:26
Мы скоро вернёмся. Над оккупированным Донбассом взвилось красное знамя Победы
14:58
Медового месяца с Дональдом, по-видимому, не будет
14:54
NI: «Крым никогда не был неотъемлемой частью Украины»
14:51
Норвегия: на севере хотят оттепели
14:48
«Майдан» с американским акцентом
14:45
Социальные протесты в Крыму: когда ждать взрыва?
13:11
Прибалтику трясет в ожидании учений «Запад-2017»
13:09
Сможет ли РФ перекрыть Черногории путь в НАТО
11:08
В Дамаске военную полицию поздравили с 23 февраля
11:06
Скандал: Геращенко и представитель Порошенко пили шампанское с Петром Толстым
11:05
Армия Сирии и ВКС РФ нанесли неожиданный удар по ИГИЛ в Хаме
10:57
Украина как полигон: хроники колонизации страны
10:54
Süddeutsche Zeitung: с Украиной Европа только бумажки ратифицирует, реальные инвестиции идут в Россию
10:53
Украинские земли скупят вместе с челядью. МВФ требует от Киева рассчитаться за кредиты черноземами неньки
10:51
Bloomberg: канцлер Австрии призвал отказаться от антироссийских санкций
10:50
Times: Турция укрепит оборону российскими С-400
10:49
Der Spiegel: немецкие спецслужбы шпионили за журналистами по всему миру
10:49
FT: Россия мобилизует элитных хакеров на борьбу с Западом
10:36
Бумеранг войны вернется в Киев
10:35
Щит Евфрата достиг цели
10:35
Многослойная броня старой Америки
10:31
Добыча в Богемии
Все новости

Архив публикаций

«    Февраль 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728 
» » Флэшристоры - устройства, унаследовавшие лучшие черты мемристоров и флэш-памяти

Флэшристоры - устройства, унаследовавшие лучшие черты мемристоров и флэш-памяти

Флэшристоры - устройства, унаследовавшие лучшие черты мемристоров и флэш-памятиНа страницах нашего сайта мы достаточно часто рассказывали о мемристорах, электронных устройствах, состоящих из проводника из специального материала, который в виде его электрического сопротивления запоминает значение протекавшего по нему электрического тока. Эти приборы считаются кандидатами на использование в качестве ячеек высокоскоростной энергонезависимой памяти следующего поколения, способной хранить в одной ячейке более одного бита данных. Однако, на самом деле с мемристорами не все обстоит так гладко, как внушают нам многочисленные пресс-релизы.

Если бы с мемристорами все было в полном порядке, как утверждают ученые из некоторых организаций, то на рынке энергонезависимой памяти уже давно появились бы запоминающие устройства на их основе. Однако этому препятствует то, что существующие сейчас мемристоры имеют весьма ограниченный ресурс, максимальное количество раз, которые мемристор может изменить свое состояние, не потеряв своих электрических характеристик.

Группа исследователей из университета Бингеля (Bingol University) и университета Билкент (Bilkent University), Турция, разработали новый электронный прибор, который получил название флэшристор, который унаследовал все лучшие черты как мемристоров, так и ячеек флэш-памяти. В отличие от существующих устройств, мемристорный эффект (изменение кристаллической структуры на уровне атомов) в новом устройстве реализован не на локальном уровне, а рассредоточен в более крупной области пространства материала. "Благодаря этому мы можем управлять состоянием мемристора с высокой точностью, одновременно увеличив ресурс прибора во много раз".

Исследовательская группа, которая разработала новый прибор, в течение достаточно долгого времени работала над исследованиями ячеек флэш-памяти различных типов. И недавно ученые обнаружили, что полевой транзистор, на основе которых построены ячейки памяти, в некоторых режимах может вести себя подобно мемристору. Для этого достаточно лишь немного изменить структуру затвора транзистора, который становится чем-то вроде "плавающей" ловушки для электронов, и количество электронов, пойманных в этой ловушке, будут определять значение тока, текущего от истока к стоку, т.е. определять полное электрическое сопротивление канала транзистора.

Этот "плавающий" затвор обладает несколькими свойствами, в его структуре электроны могут храниться достаточно длительное время. Он хорошо изолирован от остальной структуры транзистора и отнесен от других элементов на относительно большое расстояние, что исключает самостоятельную утечку хранимых электронов за счет эффекта квантового туннелирования. К этому затвору проложен "путь" по которому электроны легко достигают его структуры. И в результате попыток соблюдения всех свойств и требований у ученых получился флэшристор, имеющий структуру, весьма подобную структуре ячеек тонкопленочной флэш-памяти.

Канал флэшристора состоит из слоя из оксида цинка, связанного с истоком и стоком алюминиевыми контактами. Туннельный барьер, толщиной 15 нанометров, изготовлен из окиси гафния, и этот барьер позволяет электронам переходить в одну сторону, от канала транзистора к плавающему затвору, представляющему собой слой нитрида кремния, толщиной 5 нанометров. Этот плавающий затвор отделен от основания из p-кремния, которое действует как традиционный затвор, изолирующим слоем окиси алюминия.

Структура нового устройства отличается от структуры ячейки флэш-памяти, у которой источник питания связан с основным затвором. Такая развязка определяет то, что когда импульс отрицательного напряжения прикладывается к стоку, возникающее электрическое поле заставляет электроны переходить через туннельный барьер из канала транзистора на плавающий затвор, где они остаются пойманными в ловушку. Когда импульс прекращается, количество заключенных в плавающем затворе электронов пропорционально параметрам приложенного импульса тока, и это количество определяет значение сопротивления канала. Сопротивление канала измеряется при помощи импульса слабого тока, напряжением 0.1 Вольта, которое слишком низко для того, чтобы воздействовать на электроны, находящиеся в ловушке плавающего затвора. Запомненное значение стирается или переписывается при помощи импульса напряжения обратной полярности, который дает электронам энергию, достаточную для того, чтобы вырваться из ловушки и возвратиться в канал через туннельный барьер.

Исследователи изготовили опытные образцы флэшристоров, которые с самого начала были способны находиться в четырех разных состояниях. Помимо этого, из-за отсутствия структурных изменений во время переключения состояния флэшристора, его надежность и воспроизводимость результатов намного превышают показатели обычных мемристоров. И, при соблюдении определенных требований к технологии производства, каждый флэшристор сможет находиться в 10 различных состояниях, т.е. хранить неполные четыре бита информации.

К сожалению, время записи и стирания информации в флэшристор пока являются слишком длинными, выполнение этих процессов занимает одну секунду времени. Но ученые пока и не стремились обеспечить высоких скоростей, их работа является пока еще только демонстрацией работоспособности нового принципа.

Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх