Лента новостей

09:11
Хитрый План Порошенко, оказавшийся Путинским...
09:07
Жатва гражданской войны
09:04
Местный житель рассказывает, как их эвакуировали из Балаклеи
08:47
США покидают мировую арену
08:47
Киев назвал условие участия России в Евровидении
08:44
США ввели санкции против российских компаний
00:00
Этот день в истории - 26 Марта
22:20
Климкин рассказал о начале Третьей мировой войны
22:19
Эпичный финал: Украина пустит под нож «Украину», чтобы покрыть долги
22:15
Эрдоган, помни! Давить на Минсельхоз опасно для здоровья. А на послов и для жизни
22:13
Эксперт, предсказавший гибель Вороненкова: «Думаю, будет вторая серия»
22:12
Украина отправила на «минский майдан» боевиков «Азова» и «Правого сектора»
22:05
Венец украинского маразма: Кремль готовит АТОшников для захвата АЭС
22:04
Митинг Навального: как оппозиционер пиарится на молодежи
22:03
Стали известны подробности атаки боевиков на часть Росгвардии
22:01
Протесты в Минске завершились только после многочисленных задержаний
22:00
Изыски терроризма. Боевики нацбата захватили десятки заложников на Ровенщине
21:59
«Я борюсь против всей этой системы»: Марин Ле Пен в интервью RT
21:55
Парк эстонских дураков
21:53
Навальный – аморальный: оппозиционер готовит «грязные» пиар-акции по всей России
21:51
Сон Петра
21:50
И всё-таки — зачем Украине независимость?
16:21
Угроза широкомасштабной войны
16:18
«Мы считаем каждую копейку»: 20 фактов о белорусской экономике
16:17
День Воли в Белоруссии
16:17
Латвийские хакеры выходят на тропу войны
16:14
Тёмная империя Дарта Путина
16:13
Бандеровцы с ваххабитами — братья навек
16:12
Порошенко признал ДНР и ЛНР и отправил своих военных в Гаагу
16:11
Меркель пытается убедить Евросоюз в невозможном
16:10
Yle: Навальный опять бросает вызов Путину
16:09
Spiegel: комплекс «Искандер» заставил НАТО искать встречи с Москвой
16:09
«Все разбомбили, сволочи» — украинский мир пришел в Балаклею
16:06
Американцы признали: Т-90 лучше «Абрамса»
16:02
Svenska Dagbladet: США делают мир спокойнее
16:01
Подпольный обком комбата Семенченко
15:46
«Летучий голландец» СССР
15:40
«Последний диктатор Европы» подтверждает свой титул
15:22
Одесса вступилась за праздник Победы
15:21
Заслушанный кандидат: Фийон обвинил Олланда в политическом шпионаже
15:17
Куда побегут банкиры из лондонского Сити?
15:16
На Украине начинают подсчитывать убытки от блокады Донбасса
15:10
60 лет объединения Европы: главные ошибки ЕС
15:08
Украину ждет «кровавая баня». Иного исхода не будет
15:04
Марин Ле Пен идет ва-банк
Все новости

Архив публикаций

«    Март 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031 
» » Создан первый лазер на основе сплава германия-олова, совместимый с существующей технологией производства чипов

Создан первый лазер на основе сплава германия-олова, совместимый с существующей технологией производства чипов

Германиево-оловянный лазер


Инженеры, занимающиеся разработкой современных микропроцессоров и других чипов, знают о существовании одного из узких мест в архитектуре - ограниченной пропускной способности шин, по которым ведется обмен данными внутри многоядерных процессоров. Так же известен и метод обхода этой проблемы, который заключается в замене электрических проводников оптическими линиями передачи данных. Более того, кроме увеличения быстродействия чипов такой метод подразумевает снижение количества потребляемой чипом энергии, что делает его более эффективным. Однако, внедрение такого метода упирается в очередную проблему - в отсутствие источника света, лазера, изготовленного из кремния или другого полупроводникового материала, совместимого с существующими технологиями производства.

Свое решение вышеописанных проблем предлагает группа европейских исследователей, которая создала лазер из сплава германия-олова, который может использоваться в качестве источника света на кристалле чипа. Германий, олово, как и кремний, сходят в IV группу элементов, что означает, что кристаллические слои этих материалов могут быть выращены непосредственно на поверхности кремниевой пластины. И это делает новый германиево-оловянный лазер совместимым с существующими технологиями производства полупроводниковых приборов.

Согласно работе, опубликованной в журнале Nature Photonics, опытный образец германиево-оловянного лазера работает пока еще только при температуре -183 градуса по шкале Цельсия, а в качестве накачки используется внешний источник света. Но исследователи уже начали работу по созданию очередного варианта полупроводникового лазера с электрической накачкой, который будет способен работать при комнатной температуре.

Следует отметить, что созданный европейскими учеными полупроводниковый лазер является не первым подобным устройством. В свое время специалисты компаний Intel и Luxtera создали оптические коммуникационные каналы на чипе, используя гибридные лазеры на основе кремния и фосфида индия. Но, некоторые специалисты в этой области полагают, что для условий массового производства более подходят лазеры на основе материалов, подобных кремнию, в число которых входят олово и германий. Это позволит сделать производство более рентабельным и позволит уменьшить количество дефектов при производстве.

Но, проблема с германием и кремнием заключается в том, что эти материалы очень плохо проявляют себя с точки зрения излучения ими света. У этих материалов имеется характеристика, называемая косвенной запрещенной зоной (indirect band gap) из-за наличия которой энергия электронов, возбужденных электричеством или светом, переходит в тепло, а не в энергию излучаемых фотонов при переходе электронов на более низкий энергетический уровень.

Некоторым группам ученым удалось побороть этот эффект, сместив запрещенную зону, покрыв нанопроводники из кремния слоем фосфора или подвергая материал механическому напряжению. А группе, в состав которой вошли ученые из института Forschungszentrum Juelich, Германия и института Пола Шеррера, Швейцария, удалось добиться такого же самого эффекта, сплавив германий с небольшим количеством, около 9 процентов, олова. И из этого материала они сделали свой лазер, выращивая слой за слоем структуру из германиево-оловянного сплава на слое чистого германия, выращенного, в свою очередь, на подложке из чистого кремния.

Новый лазер излучает свет с длиной волны около 3 микрометров. Такая длина волны позволит применять такие лазеры не только в области коммуникаций, но и для производства датчиков газовых анализаторов, встроенных в чип, и других датчиков медицинского назначения, которые смогут определять уровни сахара в крови и другие параметры при помощи метода спектроскопического анализа.
 

Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх