Лента новостей

22:46
Новый виток.. чего?
22:43
Украинский Мариуполь пошел в социалистическое наступление на Киев
22:41
Ростислав Ищенко: Почему сорвалась украинская провокация
22:27
Сводка, Сирия: «горячий прием» армии Асада и забытый тайник боевиков
22:26
В России опровергли слухи о бесполезности «Адмирала Кузнецова» в Сирии
22:25
Кровавый Новый год: украинская армия готовится к «мегавойне» на Донбассе
22:23
Американские полицейские вооружились пистолетами «Оса»
22:21
Истребитель пятого поколения стал испытательной лабораторией медиков
22:20
Генерал Мороз и Адмирал Кракен
22:17
По кодексу людоеда
22:10
Две украинские ракеты С-300 взорвались после старта
22:10
Что забыли «котики» в Средиземном море? Обама решил биться до последнего?
22:06
Русское оружие при штурме Мосула
21:53
Охлобыстин поблагодарил полоумных небратьев: Никто не сделал так много для консолидации русского народа как вы
21:52
Владимир Путин, вас слушал весь мир
21:51
Путин отметил противоречие в период президентства Обамы
20:07
Вооруженные силы РФ получили строгий приказ
17:14
А Путин-то наш — авторитетный лидер. За нефть он договорился
17:13
Пешка королю грозила матом: очередной провал Порошенко перед Путиным
17:12
Майданутые в ярости: ракетные стрельбы оказались показухой Порошенко
17:09
Путин на ТВ США: предупреждение или намек?
17:07
На Украине всё начнется после 15 января
17:05
Авакову напомнили, что Крым — это Россия
17:04
Послание варваров
17:01
NYT: В «момент триумфа» Путин казался удивительно сдержанным
17:00
Последняя просьба Улюкаева
16:56
Трамп опять привел всех в ужас
16:55
Bloomberg: Путин сверхъестественно спокоен
16:50
Саакашвили объявил о сборе средств на создание Украины - сверхдержавы
16:49
О роли Фурсенко и Моисея Соломоновича в трагедии РАН
16:43
Два миллиардера и «пес-убийца»: новая команда Трампа
16:42
Санкт-Петербург: ЗСД открыли, ВСД на очереди
16:40
Стали известны подробности повреждения «Адмирала Эссена»
14:38
Константин Кеворкян: Война оптом и в розницу
14:37
Деградация украинского танкостроения, или Падение в пропасть проходит нормально
14:33
Хроника Донбасса: удар по ДНР из «Града», боец ВСУ перешел на сторону ЛНР
14:32
Американские пилоты пересаживаются на авиахлам
14:30
Армия Сирии освободила город Хан аш-Ших в районе Дамаска
14:28
Сирийские демократические силы создали арабско-курдскую бригаду для борьбы с турецкой армией
14:27
Минобороны прокомментировало заявление представителя ООН о гумпомощи жителям Алеппо
14:25
Форпост боевиков все ближе: сирийцы «замыкают кольцо» в Восточной Гуте
14:24
Покинуть борт! Украинский флот идет «ко дну»
14:22
Лучше смерть, чем собачья жизнь: два офицера ВСУ покончили с собой
14:15
ФСБ узнала о готовящихся кибератаках на финансовую систему РФ
10:48
В России научились получать ядерное топливо с помощью электрического тока
Все новости

Архив публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 
» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти


Группа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.

Изменения кристаллической решетки


Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов работает за счет перехода материала активного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и наоборот под воздействием электрического тока с определенными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление активного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия (Ge) на небольшое расстояние. Идея создания памяти подобного типа была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обычной CMOS-технологии были созданы первые образцы TRAM-памяти, которая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с другими типами памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2


Используя первый опытный образец TRAM-памяти, и проведя анализ структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить ряд их характеристик по сравнению с первыми образцами. Ключом этих изменений стала новая структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, которая требует незначительного количества энергии для перемещения этих атомов. Такой подход позволил снизить рабочее напряжение до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и рабочий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти предыдущего поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено значение тока стирания и записи, что позволило существенно поднять скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти


Более того, исследователи изготовили несколько различных вариантов ячеек TRAM-памяти, используя наборы материалов, имеющих разные показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее напряжение этих ячеек практически не зависит от используемых материалов, в отличие от других типов памяти на фазовых переходах, рабочее напряжение которых сильно зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередь в информационных центрах большого масштаба. Этому максимально будет способствовать то, что скорость работы TRAM-памяти почти в 100 раз превышает скорость работы самых лучших образцов современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обычной flash-памяти.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх