Лента новостей

22:54
Дьявол уже здесь: Афонский старец пообещал миру страшные годы
22:53
Европейское бла-бла. Лавров и медицина бессильны
22:52
Ротшильд, Мердок и Чейни начинают добычу нефти в Сирии
22:51
Сергей Данилов — Скоро будет Новый Израиль
22:50
Экономика РФ: Россияне верят в стабилизацию ситуации, об этом за них «говорят» цифры
22:43
Вотум недоверия польской оппозиции или по Мачеревичу зазвонил колокол
22:42
Лондон готов нанести превентивный ядерный удар
22:22
Глобальные обстоятельства заставляют мировых лидеров советоваться с Москвой
22:17
Запад боится, что самолеты Путина шпионят за НАТО
22:13
У Киева больше нет лишнего электричества
22:12
Как рагули главу ПАСЕ увольняли
22:09
Глава Республики Сербской отказался пожать руку послу США
22:08
Дна здесь просто нет! Киев устроил блокаду Приазовья
22:05
Победу православного батюшки на украинском «Голосе» назвали плевком на могилы АТОшников
22:04
Асад готовит американским стервятникам «теплую встречу»
22:03
Поможет ли Асаду наземная операция российской армии?
22:00
«Трамп разрешил генералам начать новую мировую войну»
21:59
Стрельба себе по ногам — любимая забава Киева
16:46
Политика ЕС расколола Францию на два лагеря
16:45
Соратник Тимошенко: «Не те евреи над нами стоят»
16:45
2 года тюрьмы за кражу 20 шоколадок. Уровень бедности в Украине достиг 90%
16:44
Доктор Комаровский: Украина не состоялась как государство
16:43
«Говорящая каска» Тымчук: Агенты Путина повсюду! СБУ – спаси!
16:42
«Единая страна»: Депутаты в Закарпатье уже заседают под флагом Венгрии
16:22
Террористы Порошенко будут убивать граждан стран-членов НАТО
15:52
Учителя предлагают стандартизировать нормы русского языка
15:44
Киевская хунта готовит Запад к войне на Донбассе
15:43
Украина между маразмом и фашизмом
15:42
Субмарина «Белгород»: секретная подлодка со сверхсекретным «Статусом»
15:41
Придётся ли нам воевать с США, и если придётся, то как
12:43
Французам предстоит выбор между тихим угасанием и тяжелой борьбой
12:42
Русские якоря
12:42
Американские нефтяники «просочились» в Крым
12:33
Нет никаких братьев: есть русские и есть кастрюлеголовые
12:32
В Киеве занервничали: в ЕС началась «крымская оттепель»
12:31
Оболваненность французов достигла высочайших степеней
12:31
Новый ракетный корабль проекта Град заложен в Татарстане
12:30
The Hill: США собираются ответить на нарушение Россией Договора РСМД
12:29
Как Россия сделала то, чего от неё не ждали
12:27
Семь способов потопить авианосец США
12:27
За что не любят Хафтара: Запад встревожен перспективой в Ливии
09:42
Парад Победы: подготовка
09:39
Перекуем орала на мечи?
09:17
Долгий путь в Гаагу
09:09
Politiken: Путин действовал рационально
Все новости

Архив публикаций

«    Апрель 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти


Группа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.

Изменения кристаллической решетки


Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов работает за счет перехода материала активного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и наоборот под воздействием электрического тока с определенными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление активного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия (Ge) на небольшое расстояние. Идея создания памяти подобного типа была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обычной CMOS-технологии были созданы первые образцы TRAM-памяти, которая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с другими типами памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2


Используя первый опытный образец TRAM-памяти, и проведя анализ структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить ряд их характеристик по сравнению с первыми образцами. Ключом этих изменений стала новая структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, которая требует незначительного количества энергии для перемещения этих атомов. Такой подход позволил снизить рабочее напряжение до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и рабочий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти предыдущего поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено значение тока стирания и записи, что позволило существенно поднять скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти


Более того, исследователи изготовили несколько различных вариантов ячеек TRAM-памяти, используя наборы материалов, имеющих разные показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее напряжение этих ячеек практически не зависит от используемых материалов, в отличие от других типов памяти на фазовых переходах, рабочее напряжение которых сильно зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередь в информационных центрах большого масштаба. Этому максимально будет способствовать то, что скорость работы TRAM-памяти почти в 100 раз превышает скорость работы самых лучших образцов современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обычной flash-памяти.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх