Лента новостей

16:48
Украинство: живущие без головы
16:47
Навальный: что и зачем скрывает оппозиция
16:46
Российско-американский ТРАМПлин
16:43
Как Путин сделал кудзуси Европарламенту...
16:41
Порошенко получил «эликсир храбрости» от Байдена
16:33
Записки из Одессы: Цирк уже вовсю рушится, а клоуны и дальше «балаганят»
16:26
Конституционный суд разрешил не исполнять решение ЕСПЧ по делу «ЮКОСа»
16:24
Александр Роджерс: Как я смотрел BBC
16:20
Давос: Порошенко срочно ищет нового хозяина
16:19
Марш-бросок российских войск на Киев
16:17
Красная «тряпка» для литовского «быка»: флаг СССР попал в центр скандала
16:15
В Испании по запросу ФБР задержали российского программиста
16:11
Александр Проханов. Русская бездна
16:02
Киевлянка об украинцах: «Пьют «Антифриз», превратились в жалких наркоманов»
16:01
Обама получил решительный ответ от России на обвинения по ядерному вопросу
15:59
Снег сами ешьте
15:58
Кровавое переформатирование Америки неизбежно
15:55
WADA против России: стало известно, когда решится судьба зимнего спорта РФ
15:54
Нет Байдена – нет Порошенко: Украину ждут кардинальные перемены во власти
15:23
ВСУ снова терпят потери или откуда в Одессе взялись вмерзшие в лед судна?
13:42
Освобожденный от ИГ восток иракского Мосула превратился в руины
13:31
В Подмосковье досрочно сняли полномочия с трех депутатов
13:29
Нефть продолжает дорожать на данных API о сокращении запасов в США
13:28
Андрей Ваджра: Политическая мастурбация с элементами интеллектуального скарфинга
12:51
Фантомы Рейха живут в Прибалтике
12:00
Бунт на тонущем корабле
11:59
Минутка для размышлений или поможем Америке найти «жулика»
11:52
Соседи отказались поддерживать Литву в борьбе с российской энергетикой
11:48
Дочирикались: сеть антироссийских Twitter-аккаунтов перестала работать в один день
11:44
Будут ли на Марсе цвести украинские яблони?
11:43
Власти Ирака потребовали расследовать американское вторжение 2003 года
11:38
Кличко продемонстрировал незнание географии на форуме в Давосе
11:37
Признание успехов России и Китая: в Британии начали готовиться к падению либерального мира
11:36
Нужен ли Трампу Рейкьявик-2?
11:35
Никки Хейли станет интересным «спарринг-партнером» для Виталия Чуркина
11:34
Глава ОБСЕ решил ввести ночную смену для наблюдателей в Донбассе
11:33
Сноудену продлили вид на жительство в России до 2020 года
11:33
Порошенко засобирался на февральскую аудиенцию к Трампу
11:27
Александр Роджерс: Революция? Вы кто такие? Идите нафиг!
11:22
Т-90 получит пушку от «Арматы»: основному российскому танку добавят ударной силы
11:15
Боевые звери
09:17
«Агрессия НАТО против России» и прочие выдумки
09:15
Новую Переяславскую Раду готовят в Крыму
09:13
Последняя встреча Обамы с прессой
09:10
План перезагрузки Киева
Все новости

Архив публикаций

«    Январь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031 
» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти


Группа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.

Изменения кристаллической решетки


Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов работает за счет перехода материала активного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и наоборот под воздействием электрического тока с определенными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление активного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия (Ge) на небольшое расстояние. Идея создания памяти подобного типа была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обычной CMOS-технологии были созданы первые образцы TRAM-памяти, которая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с другими типами памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2


Используя первый опытный образец TRAM-памяти, и проведя анализ структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить ряд их характеристик по сравнению с первыми образцами. Ключом этих изменений стала новая структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, которая требует незначительного количества энергии для перемещения этих атомов. Такой подход позволил снизить рабочее напряжение до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и рабочий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти предыдущего поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено значение тока стирания и записи, что позволило существенно поднять скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти


Более того, исследователи изготовили несколько различных вариантов ячеек TRAM-памяти, используя наборы материалов, имеющих разные показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее напряжение этих ячеек практически не зависит от используемых материалов, в отличие от других типов памяти на фазовых переходах, рабочее напряжение которых сильно зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередь в информационных центрах большого масштаба. Этому максимально будет способствовать то, что скорость работы TRAM-памяти почти в 100 раз превышает скорость работы самых лучших образцов современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обычной flash-памяти.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх