Лента новостей

17:25
Зрада: как Украина демонтирует государство и продаёт Крым
17:22
Огни на Эйфелевой башне погасли в память о жертвах теракта в Египте
17:22
27 мая 1883 года Александр III венчан на царство
14:27
Привет, немытая Россия!
14:25
Хлеб, которым нас убивают
14:24
Зачем американцам Сибирь
14:23
Как можно все извратить: русские расколошматили прекрасный лагерь отдыха Освенцим
14:22
Порошенко присвоил звание Героя Украины Михаилу Зурабову
14:22
Аграрная сверхдержава все ближе: по статистике уже каждый шестой украинец работает в поле задом кверху
14:21
Путин не дает покоя Америке - ни как глава государства, ни... как мужчина!
14:20
Российский Т-50 сможет уничтожить все, что способно летать
14:19
Чем запомнился политолог Збигнев Бжезинский
14:18
В Сирии испытано более 200 образцов российского оружия
14:17
Галичане плюют на патриотизм и валят на ударные стройки России
14:16
ВКС РФ уничтожили одного из главарей ИГИЛ, чеченца Абу Аюба аш-Шишани
14:16
Армия Сирии сбила ударный БПЛА Израиля, убивший трех военных
14:15
Как Додон проник в Кремль?
14:14
Самонаводящаяся ракета Сазан-1
14:13
Что позволено зятю и дочери Трампа, то не позволено Христу
14:11
Кохановский намекнул, что супругов Порошенко ждет участь семьи Чаушеску
14:10
Наше все: Украина защитила «Рошен» от российских конкурентов
14:10
Александр Новак собирается обсудить с вице-президентом ЕК поставки газа на Украину
14:09
Американские хозяева в посольстве США отказались защищать украинских холуев
14:08
Борьба с «унизительным параличом»: НАТО изменит устав и увеличит бюджет
14:08
Крутое пике сбитого лётчика: путь от Стрелкова к Гиркину
14:06
Американцы испугались грозных J-10, выполнявших «опасный перехват»
14:05
Отплываем: первый в России «Штандарт» покоряет морские просторы
13:54
«Это разрушительный удар по союзникам США в НАТО»
13:53
Трамп от имени американского народа поздравил мусульман с Рамаданом
13:52
Эдуард Лимонов: Российские туристы никогда больше не вернутся в Египет
13:51
Многоцелевой танк Т-14 на гусеничной платформе «Армата»
13:49
Допотопный Урал: Шигирский идол
13:46
Выплата долга России грозит Украине тяжёлыми последствиями
13:45
Россия требует от Украины немедленно выплатить долг по евробондам
13:42
Российское «Резюме»: сирийцы достали самый мощный в мире выстрел к РПГ
13:41
Пять разведчиков — уже много: подробности операции «Стингер» в Афганистане
13:38
Олигарх Дерипаска был готов подтвердить связи Трампа с Россией
13:36
СМИ узнали о масштабной операции российских ССО на юге Сирии
13:36
Адмирал Кузнецов остался без причала
00:05
Этот день в истории - 27 Мая
16:24
Марш в европейское будущее
16:23
Доктор Комаровский: Каждый третий украинец умрет от рака из-за «реформ» в Минздраве
16:23
«Панда» отдыхает: после Революции достоинства с госпредприятий Украины было украдено около 80 млрд гривен
16:22
«Свобода» запретила в Черновцах оппозиционеров и коммунистов
16:19
Данальда Трампа призывают открыть Врата Ада!
Все новости

Архив публикаций

«    Май 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031 
» » Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Японские исследователи создали опытные образцы энергоэффективной топологической памяти TRAM

Чип памяти


Группа, в которую вошли исследователи из японского Национального института науки и передовых технологий (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST), университета Нагои (Nagoya University) и ассоциации Low-power Electronics Association & Project (LEAP), создала опытные образцы топологической памяти TRAM (topological-switching RAM), нового типа памяти на основе фазовых переходов, изготовленной на основе кристаллической решетки сложного сплава GeTe/Sb2Te3. Кроме этого, образцы памяти нового типа продемонстрировали крайне высокие показатели энергетической эффективности, что может привести к появлению высокоскоростных устройств хранения данных, таких, как SSD-диски, потребляющих при своей работе совсем незначительное количество энергии.

Изменения кристаллической решетки


Напомним нашим читателям, что память на основе фазовых переходов работает за счет перехода материала активного участка ячейки памяти из кристаллического в аморфное состояние и наоборот под воздействием электрического тока с определенными параметрами. В топологической памяти TRAM сопротивление активного участка ячейки памяти происходит за счет перемещения в кристаллической решетке атомов германия (Ge) на небольшое расстояние. Идея создания памяти подобного типа была обнародована представителями ассоциации LEAP в декабре 2013 года, а уже в июне 2014 года при помощи обычной CMOS-технологии были созданы первые образцы TRAM-памяти, которая продемонстрировала превосходные энергетические показатели по сравнению с другими типами памяти на основе фазовых переходов.

Изменения кристаллической решетки #2


Используя первый опытный образец TRAM-памяти, и проведя анализ структуры его кристаллической решетки при помощи электронного микроскопа, исследователи оптимизировали структуру ячеек памяти, что позволило улучшить ряд их характеристик по сравнению с первыми образцами. Ключом этих изменений стала новая структура кристаллической решетки, основанная на расчетной модели перемещения атомов германия, которая требует незначительного количества энергии для перемещения этих атомов. Такой подход позволил снизить рабочее напряжение до 0.7 Вольта, на 30 процентов, и рабочий ток до 55 мкА, на 50 процентов, по сравнению с аналогичными характеристиками ячеек TRAM-памяти предыдущего поколения. Кроме этого в 4 раза было уменьшено значение тока стирания и записи, что позволило существенно поднять скорость записи и снизить расход энергии в момент записи и стирания.

Ячейки TRAM-памяти


Более того, исследователи изготовили несколько различных вариантов ячеек TRAM-памяти, используя наборы материалов, имеющих разные показатели удельной теплопроводности. Измерения характеристик изготовленных ячеек показало, что рабочее напряжение этих ячеек практически не зависит от используемых материалов, в отличие от других типов памяти на фазовых переходах, рабочее напряжение которых сильно зависит от удельной теплопроводности их материалов.

Специалисты ассоциации LEAP полагают, что устройства хранения на основе TRAM-памяти найдут применение в первую очередь в информационных центрах большого масштаба. Этому максимально будет способствовать то, что скорость работы TRAM-памяти почти в 100 раз превышает скорость работы самых лучших образцов современной NAND flash-памяти, и, благодаря этому, один TRAM-чип по объему и производительности сможет заменить до 64 чипов обычной flash-памяти.


Первоисточник





Опубликовано: legioner     Источник

Похожие публикации


Добавьте комментарий

Новости партнеров


Loading...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Наверх